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淺談碳化硅壽命中的挑戰(zhàn)

硅基氮化鎵Micro-LED，實現(xiàn)高速可見光通信信號探測

西安交大提出“仿生門控”柔性傳感新模式

重要發(fā)現(xiàn)！3C-SiC有望PK單晶金剛石，成為高導熱材料的選擇

簡述低電感ANPC拓撲結(jié)構(gòu)集成新型950V IGBT和二極管技術(shù)

蘇州納米所孫錢團隊研制出國際首支1200V的硅襯底GaN基縱向功率器件

東風汽車碳化硅功率模塊將于2023年實現(xiàn)量產(chǎn)

武漢大學袁超研究員：熱反射表征技術(shù)在寬禁帶半導體材料和器件領(lǐng)域的應用進展

SiC工藝之質(zhì)子注入缺陷抑制技術(shù)解決碳化硅層錯難題

復旦大學微電子學院朱顥研究團隊實現(xiàn)低功耗負量子電容場效應晶體管器件

復旦大學研究團隊合作發(fā)明晶圓級硅基二維互補疊層晶體管

中國科大在氧化鎵半導體器件領(lǐng)域取得重要進展

GAA 晶體管繼任者？復旦大學團隊公布CFET新進展！

簡述電力電子中 IGBT 散熱器選型應用

上海微系統(tǒng)所在硅基碳化硅異質(zhì)集成XOI材料領(lǐng)域取得重要進展

國產(chǎn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)獲突破！

湖南大學半導體學院在二維半導體超薄介電層集成技術(shù)研究取得重要進展

補盲激光雷達，角分辨率越小越好嗎？

武漢大學課題組在寬禁帶半導體熱表征領(lǐng)域發(fā)表綜述文章

充足的激光雷達視場要多大？補盲激光雷達視場覆蓋大揭秘！

簡述第三代半導體材料和器件中的熱科學和工程問題

如何優(yōu)化隔離柵級驅(qū)動電路?

廈門大學寬禁帶半導體研究組在半導體能谷調(diào)控方面取得重要進展

復旦大學研究團隊實現(xiàn)低功耗負量子電容場效應晶體管器件

氮化鎵柵極驅(qū)動專利：RC負偏壓關(guān)斷技術(shù)之松下篇

簡述用于工業(yè)自動化的無刷直流電機

SiC MOSFET功率模塊的各種參數(shù)電動汽車

簡述光刻機制造設(shè)備

電動車直流充電基礎(chǔ)設(shè)施如何實現(xiàn)快速充電？

寬禁帶氧化鎵半導體在壓電與射頻器件中的應用

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