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日本京都大學成功演示SiC在350°C下也能工作
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2022-03-28 15:32
郭浩中教授、劉新科研究團隊在Micro-LED背光模組研究中獲得新進展，均勻度性能提升32%
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2022-03-28 11:29
均勻度提升32% Micro-LED背光模組最新技術(shù)進展
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2022-03-28 11:10
成功案例分享：車載行車記錄儀的電路保護
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2022-03-25 10:32
國產(chǎn)車規(guī)級芯片發(fā)展現(xiàn)狀、問題及建議
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2022-03-24 16:58
《SiC MOSFET可靠性分析》聯(lián)盟技術(shù)報告正式立項
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2022-03-24 15:51
大功率半導體技術(shù)現(xiàn)狀及其進展
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2022-03-23 16:45
南京大學 | 基于MoS2-BN-Graphene范德華異質(zhì)結(jié)的多功能半浮柵晶體管
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2022-03-23 15:25
向單芯片的GaN器件進軍
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2022-03-22 10:04
芯片上的突破！清華制成世界上柵極長度最小晶體管
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2022-03-21 16:16
天津大學馬凱學團隊在5G/6G毫米波技術(shù)取得新進展
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2022-03-21 11:31
上海有機所在阻轉(zhuǎn)異構(gòu)類有機半導體材料與器件研究中取得進展
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2022-03-21 10:51
國家納米科學中心在自旋分子存儲器方面取得新進展
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2022-03-18 17:08
蘇州醫(yī)工所董建飛課題組在數(shù)據(jù)驅(qū)動的學習控制方面取得研究進展
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2022-03-18 10:48
南科大潘權(quán)團隊在高速通信芯片設(shè)計領(lǐng)域取得系列新成果
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2022-03-18 10:44
上海光機所提出可見激光材料暗化問題解決新方案
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2022-03-18 10:40
世界上最大的超6英寸GaN籽晶問世！
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2022-03-17 11:39
長光所在量子陀螺專用垂直腔面發(fā)射激光器研制和應(yīng)用方面取得進展
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2022-03-17 09:46
中科院微電子研究所在氮化鎵—金剛石異質(zhì)集成方面取得新進展
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2022-03-15 11:52
中科院微電子所在氮化鎵—金剛石異質(zhì)集成方面取得新進展
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2022-03-14 19:16
碳化硅功率器件技術(shù)綜述與展望
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2022-03-11 16:23
清華大學團隊首次實現(xiàn)了具有亞1nm柵極長度的晶體管
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2022-03-11 10:35
瀾起科技：整個DDR5相關(guān)芯片價值量高于DDR4，DDR5第二子代芯片正在研發(fā)
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2022-03-08 10:41
電裝SiC功率半導體的誕生之路和未來的可能性
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2022-03-04 10:59
世界上首次用HVPE法在6英寸晶片上氧化鎵成膜成功
HVPE法
6英寸
晶片
氧化鎵
成膜
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2022-03-02 09:24
清華大學交叉信息研究院段路明課題組實現(xiàn)量子存儲器增強的非局域圖態(tài)制備
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2022-03-01 15:45
鄭州大學物理學院在自供能多色顯示研究方面取得進展
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2022-02-28 13:27
中電科二所研制出山西省首片碳化硅芯片
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2022-02-28 11:01
西電周弘教授：超寬禁帶半導體材料氧化鎵器件最新研究進展
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2022-02-22 13:35
北大物理學院高鵬課題組揭示氮化物異質(zhì)結(jié)界面聲子輸運機制
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2022-02-22 11:41
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