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氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)專利：RC負(fù)偏壓關(guān)斷專利技術(shù)之臺(tái)達(dá)電子篇

淺談碳化硅壽命中的挑戰(zhàn)

硅基氮化鎵Micro-LED，實(shí)現(xiàn)高速可見(jiàn)光通信信號(hào)探測(cè)

西安交大提出“仿生門控”柔性傳感新模式

重要發(fā)現(xiàn)！3C-SiC有望PK單晶金剛石，成為高導(dǎo)熱材料的選擇

簡(jiǎn)述低電感ANPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)集成新型950V IGBT和二極管技術(shù)

蘇州納米所孫錢團(tuán)隊(duì)研制出國(guó)際首支1200V的硅襯底GaN基縱向功率器件

東風(fēng)汽車碳化硅功率模塊將于2023年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

武漢大學(xué)袁超研究員：熱反射表征技術(shù)在寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件領(lǐng)域的應(yīng)用進(jìn)展

SiC工藝之質(zhì)子注入缺陷抑制技術(shù)解決碳化硅層錯(cuò)難題

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院朱顥研究團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)低功耗負(fù)量子電容場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件

復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)合作發(fā)明晶圓級(jí)硅基二維互補(bǔ)疊層晶體管

中國(guó)科大在氧化鎵半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

GAA 晶體管繼任者？復(fù)旦大學(xué)團(tuán)隊(duì)公布CFET新進(jìn)展！

簡(jiǎn)述電力電子中 IGBT 散熱器選型應(yīng)用

上海微系統(tǒng)所在硅基碳化硅異質(zhì)集成XOI材料領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

國(guó)產(chǎn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)獲突破！

湖南大學(xué)半導(dǎo)體學(xué)院在二維半導(dǎo)體超薄介電層集成技術(shù)研究取得重要進(jìn)展

補(bǔ)盲激光雷達(dá)，角分辨率越小越好嗎？

武漢大學(xué)課題組在寬禁帶半導(dǎo)體熱表征領(lǐng)域發(fā)表綜述文章

充足的激光雷達(dá)視場(chǎng)要多大？補(bǔ)盲激光雷達(dá)視場(chǎng)覆蓋大揭秘！

簡(jiǎn)述第三代半導(dǎo)體材料和器件中的熱科學(xué)和工程問(wèn)題

如何優(yōu)化隔離柵級(jí)驅(qū)動(dòng)電路?

廈門大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體研究組在半導(dǎo)體能谷調(diào)控方面取得重要進(jìn)展

復(fù)旦大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)低功耗負(fù)量子電容場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件

氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)專利：RC負(fù)偏壓關(guān)斷技術(shù)之松下篇

簡(jiǎn)述用于工業(yè)自動(dòng)化的無(wú)刷直流電機(jī)

SiC MOSFET功率模塊的各種參數(shù)電動(dòng)汽車

簡(jiǎn)述光刻機(jī)制造設(shè)備

電動(dòng)車直流充電基礎(chǔ)設(shè)施如何實(shí)現(xiàn)快速充電？

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