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北京大學團隊成功研制無閾值電壓負漂650V/10A增強型GaN器件

1250mW、BLG 展示創(chuàng)世界紀錄的單模 GaN 激光器

科研成果| p-GaN柵HEMT器件在負柵壓阻斷態(tài)下的重離子輻照可靠性實驗研究

中國科學院寧波材料技術與工程研究所郭煒研究員在GaN HEMT器件研究中取得新進展

國家工程研究中心最新突破：磁控濺射AlN覆蓋層提升p-GaN HEMT器件性能

山東大學/晶鎵半導體成功研發(fā)4英寸高質量GaN單晶襯底

中科大微電子學院在GaN器件輻照效應研究方向取得重要進展

重磅發(fā)布｜九峰山實驗室GaN系列成果首次發(fā)布！

中國科大楊樹教授和龍世兵教授課題組在垂直型GaN功率晶體管研究方向取得重要進展

武漢大學聯(lián)合中科大iGaN實驗室與工信部電子五所在GaN基HEMTs的溝道溫度監(jiān)測研究領域取得新進展

南京郵電大學研究團隊在用于低功率光通信的GaN/CuI異質結構紫外光伏探測器取得進展

北京大學團隊在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進展

北大集成電路學院研究團隊在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進展

南京大學在宇航用抗輻照GaN功率器件方面取得新進展

許福軍、沈波團隊成功實現(xiàn)垂直注入AlGaN基深紫外發(fā)光器件的晶圓級制備

中國科大微電子學院在GaN HEMT開關瞬態(tài)建模方向取得新進展

中國科大微電子學院在GaN功率電子器件浪涌特性研究方向取得新進展

中科院微電子所在GaN器件研究方面取得重要進展

中科大孫海定iGaN實驗室研究三維垂直集成microLED陣列實現(xiàn)無掩膜深紫外光刻新技術

北京大學在GaN功率器件可靠性與集成技術方面取得系列進展

技術進展|突破性研究：GaN-on-Diamond鍵合界面熱阻顯著降低

北京大學取得AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結構及其制備方法專利，顯著提升器件的光輸出功率

成果推薦| 基于凹槽二次外延技術的p-GaN柵極增強型電力電子器件

豐田合成、大阪大學等成功制備6吋GaN襯底

半導體所研制出室溫連續(xù)功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器

北大團隊新型器件技術加速GaN進入工業(yè)與汽車應用

新進展│深圳大學劉新科課題組取得基于2D-on-GaN垂直異質集成的高性能寬光譜探測器研究新成果

聯(lián)合攻關成果！1700V GaN HEMTs器件研制成功

山東大學彭燕、徐現(xiàn)剛團隊在面向大功率高效散熱GaN器件用金剛石-碳化硅復合襯底的進展

金剛石基板上的GaN晶體管，散熱性能提高2.3倍

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