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重磅發(fā)布｜九峰山實(shí)驗(yàn)室GaN系列成果首次發(fā)布！

全球首發(fā)! 杭州鎵仁發(fā)布首顆8英寸氧化鎵單晶，開啟第四代半導(dǎo)體氧化鎵新時(shí)代

中科院科學(xué)家在8英寸碳化硅單晶研制中獲進(jìn)展

國(guó)內(nèi)8英寸SiC傳來新進(jìn)展！

成果上新！8英寸導(dǎo)電型碳化硅研制獲得成功

科友6/8英寸碳化硅規(guī)?；a(chǎn)取得重大技術(shù)突破

國(guó)內(nèi)首家！廈門大學(xué)實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅外延生長(zhǎng)

山東大學(xué)與南砂晶圓團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶和襯底制備

中電科45所研制的雙8英寸全線自動(dòng)化濕法整線設(shè)備進(jìn)入國(guó)內(nèi)主流產(chǎn)線

半導(dǎo)體晶圓供應(yīng)商IQE開發(fā)出全球首批8英寸VCSEL外延片

中科院成功制備8英寸碳化硅晶體

中科院物理所在8英寸碳化硅單晶研究取得新進(jìn)展

意法半導(dǎo)體首批8英寸碳化硅晶圓問世，SiC熱度高漲！

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