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九峰山實驗室推氧化鎵科研級功率單管及coupon to wafer流片平臺

全球首發(fā)! 杭州鎵仁發(fā)布首顆8英寸氧化鎵單晶，開啟第四代半導(dǎo)體氧化鎵新時代

研制成功！我國團隊在氧化鎵日盲光電探測器領(lǐng)域取得重要進展

半導(dǎo)體所在基于氧化鎵的日盲紫外偏振光探測器方面取得新進展

寧波材料所與鄭州大學(xué)實現(xiàn)金剛石/氧化鎵異質(zhì)結(jié)器件突破

上海微系統(tǒng)所科研團隊在金剛石基氧化鎵異質(zhì)集成材料與器件領(lǐng)域取得突破性進展

杭州鎵仁半導(dǎo)體實現(xiàn)直拉法2英寸N型氧化鎵單晶生長

深圳平湖實驗室在氧化鎵理論研究方面取得重要進展

鎵仁半導(dǎo)體：鑄造法成功生長超厚6英寸氧化鎵單晶！

日本FOX公司計劃2028年量產(chǎn)6英寸氧化鎵晶圓

上海微系統(tǒng)所成功開發(fā)面向二維集成電路的單晶金屬氧化物柵介質(zhì)晶圓

西安交大劉明教授團隊在柔性自支撐反鐵電氧化物單晶薄膜研究方面取得新進展

武漢大學(xué)袁超課題組在超寬禁帶氧化鎵熱輸運領(lǐng)域最新研究進展

寧波材料所研發(fā)氧化鎵基日盲紫外光電探測器的低溫制備技術(shù)

鎵和半導(dǎo)體展示多規(guī)格氧化鎵單晶襯底并首次公開發(fā)布4英寸（100）面單晶襯底參數(shù)

廈門大學(xué)張洪良和上海光機所齊紅基團隊在深紫外透明導(dǎo)電Si摻雜氧化鎵異質(zhì)外延薄膜研究取得進展

西安電子科技大學(xué)郝躍院士團隊：氧化鎵功率器件研究成果

電子科技大學(xué)羅小蓉課題組在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵功率器件領(lǐng)域取得研究進展

廈門大學(xué)張洪良團隊在氧化鎵半導(dǎo)體帶隙工程和日盲紫外光電探測器研究取得進展

【國際論文】具有集成鰭型二極管的低反向?qū)〒p耗氧化鎵縱向FinFET

具有集成鰭型二極管的低反向?qū)〒p耗氧化鎵縱向FinFET

廈門大學(xué)張洪良團隊在寬禁帶氧化鎵半導(dǎo)體摻雜電子結(jié)構(gòu)研究取得進展

南京郵電大學(xué)氧化鎵創(chuàng)新中心(IC-GAO)氧化鎵日盲紫外陣列成像器件研究取得新突破

山東大學(xué)陶緒堂教授團隊提出一種新型氧化物X射線探測材料的設(shè)計思路

廈大研究團隊在高靈敏、自供電氧化鎵日盲紫外光電探測器研究取得進展

中國科大龍世兵課題組研制出氧化鎵垂直槽柵場效應(yīng)晶體管

北京大學(xué)在氧化物半導(dǎo)體器件方向取得系列重要進展

簡述氮化鎵晶格排列氧化氮化鎵納米層的形成及其在電子器件中的應(yīng)用

中國科大在氧化鎵半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得重要進展

國產(chǎn)4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)獲突破！

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