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日本Rapidus擬7月完成2納米制程工藝半導體試產(chǎn)

日本FOX公司計劃2028年量產(chǎn)6英寸氧化鎵晶圓

日本開發(fā)在磁場下實現(xiàn)電阻開關效應的半導體器件

日本初創(chuàng)公司開發(fā)功率半導體生產(chǎn)新材料成本降低75%

日本團隊：金剛石MOSFET研制取得最新進展

金剛石基板上的GaN晶體管，散熱性能提高2.3倍

日本開發(fā)新技術，可實現(xiàn)GaN垂直導電

日本東京大學開發(fā)出新一代半導體加工技術封裝基板布線用孔降至6微米以下

日本團隊合作開發(fā)出高品質(zhì)第三代100mm氧化鎵外延片

日本京都大學成功演示SiC在350°C下也能工作

無懼高溫！日本研究開發(fā)基于GaN的MEMS諧振器

大口徑無曲翹！日本開發(fā)出有助于節(jié)能的氮化鎵單晶基板量產(chǎn)法

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

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