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日本FOX公司計(jì)劃2028年量產(chǎn)6英寸氧化鎵晶圓

日本開(kāi)發(fā)在磁場(chǎng)下實(shí)現(xiàn)電阻開(kāi)關(guān)效應(yīng)的半導(dǎo)體器件

日本初創(chuàng)公司開(kāi)發(fā)功率半導(dǎo)體生產(chǎn)新材料成本降低75%

日本團(tuán)隊(duì)：金剛石MOSFET研制取得最新進(jìn)展

金剛石基板上的GaN晶體管，散熱性能提高2.3倍

日本開(kāi)發(fā)新技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)GaN垂直導(dǎo)電

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日本京都大學(xué)成功演示SiC在350°C下也能工作

無(wú)懼高溫！日本研究開(kāi)發(fā)基于GaN的MEMS諧振器

大口徑無(wú)曲翹！日本開(kāi)發(fā)出有助于節(jié)能的氮化鎵單晶基板量產(chǎn)法

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