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2025云南晶體大會前瞻| 中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院解楠：氮化鋁寬禁帶材料發(fā)展現(xiàn)狀及技術(shù)演進趨勢研究

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投資公司成立、孵化基地封頂，光谷化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新街區(qū)進入全面建設(shè)階段

北京大學(xué)電子學(xué)院魏賢龍課題組在二維氮化硼的介電強度研究中取得重要進展

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固定投資達63億元，廣東先導(dǎo)稀材光芯片產(chǎn)業(yè)化項目簽約落戶佛山

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Wolfspeed參考設(shè)計：60kW 雙有源橋隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器

西電郝躍院士團隊張進成教授、寧靜教授在金剛石基氧化鎵熱管理領(lǐng)域取得突破性進展

第五屆紫外LED大會暨長治LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展座談會勝利閉幕

標準 | 《用于HEMT功率器件的硅襯底氮化鎵外延片》發(fā)布

標準 | 《高頻開關(guān)應(yīng)用下GaN HEMT開關(guān)可靠性試驗方法》發(fā)布

基本半導(dǎo)體與東芝達成戰(zhàn)略合作

中國科學(xué)院微電子所研發(fā)成功互補單晶硅垂直溝道晶體管（CVFET）

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