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光谷青桐匯化合物半導(dǎo)體Venture Lab，龍頭企業(yè)與知名投資機(jī)構(gòu)都來(lái)投項(xiàng)目

重磅發(fā)布 | 2項(xiàng)SiC單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨標(biāo)準(zhǔn)正式發(fā)布

2025九峰山論壇＆CSE展會(huì)盛大開(kāi)幕！化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)燈塔在光谷點(diǎn)亮

現(xiàn)場(chǎng)探訪化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)，這些硬核科技集中亮相！

產(chǎn)業(yè)燈塔在光谷點(diǎn)亮，2025九峰山論壇開(kāi)幕，全球化合物半導(dǎo)體行業(yè)龍頭悉數(shù)到場(chǎng)

明日開(kāi)幕丨2025九峰山論壇全部議程＆展商名單速覽！

CSE同期活動(dòng)丨2025半導(dǎo)體投資戰(zhàn)略發(fā)展論壇誠(chéng)邀參與

CSE?CityFood丨CSE大會(huì)專屬福利，請(qǐng)您吃小龍蝦！

LUCEDA＆是德科技同期活動(dòng)圓滿收官，為2025CSE開(kāi)幕點(diǎn)燃技術(shù)前奏?

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標(biāo)準(zhǔn) | SiC MOSFET 有功對(duì)拖/雜感/AC-溫濕度循環(huán)試驗(yàn)方法立項(xiàng)

標(biāo)準(zhǔn) | SiC MOSFET晶圓級(jí)老化及篩選試驗(yàn)方法立項(xiàng)

標(biāo)準(zhǔn) | SiC MOSFET模塊局部放電試驗(yàn)方法立項(xiàng)

工信部：將加快發(fā)布新一輪電子信息制造業(yè)穩(wěn)增長(zhǎng)行動(dòng)方案

CSE展邊會(huì)丨電動(dòng)汽車超充產(chǎn)業(yè)大會(huì)日程公布，免費(fèi)報(bào)名中

CSE展邊會(huì)丨寬禁帶半導(dǎo)體材料高峰論壇誠(chéng)邀參與

CSE同期活動(dòng)丨“武創(chuàng)薈”雙谷聯(lián)動(dòng)科技創(chuàng)新對(duì)接活動(dòng)誠(chéng)邀參與~

CSE展邊會(huì)丨推動(dòng)機(jī)器人產(chǎn)業(yè)升級(jí)！2025第三代半導(dǎo)體機(jī)器人快充新技術(shù)研討會(huì)議程公布

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韓國(guó)擬追加預(yù)算支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

2025JFSC平行論壇8丨異質(zhì)異構(gòu)集成技術(shù)，精彩議題搶先看

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2025九峰山論壇開(kāi)幕大會(huì)主旨報(bào)告議程公布！

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YS/T 1654-2023《氮化鎵化學(xué)分析方法痕量雜質(zhì)元素含量的測(cè)定輝光放電質(zhì)譜法》標(biāo)準(zhǔn)解讀

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