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推薦技術(shù)材料產(chǎn)業(yè)財(cái)經(jīng)應(yīng)用

簡(jiǎn)述SiC碳化硅單晶的生長(zhǎng)原理

從600塊降到10塊，中科院攻克重要芯片技術(shù)難關(guān)

簡(jiǎn)述碳化硅功率器件封裝的三個(gè)關(guān)鍵技術(shù)

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展帶動(dòng)下 PBN（熱解氮化硼）市場(chǎng)需求空間廣闊

中國(guó)科大龍世兵課題組研制出氧化鎵垂直槽柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管

簡(jiǎn)述GaN功率器件應(yīng)用可靠性增長(zhǎng)研究

中科院研發(fā)銅摻雜p型半導(dǎo)體材料，可印制1-20nm厚的二維薄膜材料

南科大電子系化夢(mèng)媛團(tuán)隊(duì)揭示與氮化鎵晶格匹配的GaON納米層的形成機(jī)理及應(yīng)用

北京大學(xué)在氧化物半導(dǎo)體器件方向取得系列重要進(jìn)展

簡(jiǎn)述影響 MPCVD 法制備金剛石質(zhì)量的因素研究

簡(jiǎn)述Ir襯底上金剛石半導(dǎo)體異質(zhì)外延生長(zhǎng)技術(shù)與機(jī)理研究進(jìn)展

簡(jiǎn)述高壓 SiC MOSFET 研究現(xiàn)狀與展望

廈大研究團(tuán)隊(duì)利用藍(lán)紫光LED泵浦實(shí)現(xiàn)雙波長(zhǎng)放大的聚合物光波導(dǎo)放大器

華中科技大學(xué)又一篇Science

東大團(tuán)隊(duì)研究成果榮膺2022年度“中國(guó)半導(dǎo)體十大研究進(jìn)展”

簡(jiǎn)述氮化鎵的合成制備及展望

2022年度中國(guó)半導(dǎo)體十大研究進(jìn)展

簡(jiǎn)述氮化鎵晶格排列氧化氮化鎵納米層的形成及其在電子器件中的應(yīng)用

清華大學(xué)研究組在低維半金屬半導(dǎo)體接觸研究中取得進(jìn)展

上海光機(jī)所在高峰值功率皮秒深紫外光源方面取得研究進(jìn)展

簡(jiǎn)述選擇GaN或SiC器件的重點(diǎn)

簡(jiǎn)述通過柵極驅(qū)動(dòng)器提高開關(guān)電源功率密度

長(zhǎng)春應(yīng)化所在晶態(tài)有機(jī)發(fā)光二極管研究中取得重要進(jìn)展

東南大學(xué)兩項(xiàng)研究成果發(fā)表于電子器件領(lǐng)域頂會(huì)IEDM

廈大課題組在有機(jī)半導(dǎo)體空穴傳輸材料領(lǐng)域取得系列進(jìn)展

山東省新一代半導(dǎo)體技術(shù)與系統(tǒng)等重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室批準(zhǔn)建設(shè)

俄亥俄州立大學(xué)的碳化硅MOSFET可靠性研究之短路能力

上海微系統(tǒng)所在碳化硅異質(zhì)集成材料與光子器件領(lǐng)域取得進(jìn)展

中國(guó)科大在低維光伏材料點(diǎn)缺陷性質(zhì)研究中取得新進(jìn)展

清華大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)合作利用激光加工氮化硼實(shí)現(xiàn)大規(guī)模高性能量子光源

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