明日平行論壇精彩繼續(xù)，CSE展會(huì)僅剩1天，抓緊最后的觀展參會(huì)機(jī)會(huì)！

近年來，隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)呈現(xiàn)爆炸式增長，對(duì)處理器芯片的運(yùn)算能力提出了新的挑戰(zhàn)。同時(shí)隨著集成電路技術(shù)進(jìn)入后摩爾時(shí)代，以CPU、GPU為代表的傳統(tǒng)芯片，基于傳統(tǒng)馮·諾依曼架構(gòu)，計(jì)算單元與存儲(chǔ)單元的分離造成頻繁的數(shù)據(jù)搬運(yùn)，形成速度、功耗瓶頸，在近年來興起的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等數(shù)據(jù)密集型計(jì)算任務(wù)上問題進(jìn)一步凸顯。未來智能計(jì)算需求仍面臨指數(shù)增長，亟需從器件創(chuàng)新、架構(gòu)創(chuàng)新層面為后摩爾時(shí)代算力持續(xù)增長提供新的驅(qū)動(dòng)力，神經(jīng)形態(tài)與類腦計(jì)算技術(shù)平行論壇的嘉賓分享了各自的思路與研究成果。

復(fù)旦大學(xué)張續(xù)猛老師

復(fù)旦大學(xué)張續(xù)猛老師表示，神經(jīng)形態(tài)計(jì)算技術(shù)借鑒了生物大腦的信息處理方式和架構(gòu)，正在引領(lǐng)智能化時(shí)代的技術(shù)革新，在低功耗端側(cè)智能領(lǐng)域具有可觀的應(yīng)用前景，阻變器件具有本征神經(jīng)動(dòng)力學(xué)特征，是構(gòu)建神經(jīng)形態(tài)系統(tǒng)的理想基礎(chǔ)器件。同時(shí)他介紹了其課題組近期的探索工作，包括構(gòu)建憶阻H-H神經(jīng)元電路，實(shí)現(xiàn)24種脈沖編碼方式，打破了傳統(tǒng)CMOS電路高仿生-輕量化瓶頸；耦合鐵電和電荷俘獲機(jī)制，制備長短時(shí)程融合突觸器件與陣列，利用其時(shí)空加權(quán)能力，實(shí)現(xiàn)了軌跡預(yù)測(cè)與運(yùn)動(dòng)目標(biāo)腦補(bǔ)等。

北京大學(xué)信息工程學(xué)院副院長、科學(xué)智能學(xué)院副院長楊玉超

北京大學(xué)信息工程學(xué)院副院長、科學(xué)智能學(xué)院副院長楊玉超表示，存算一體是突破當(dāng)前算力瓶頸的關(guān)鍵技術(shù)之一，憶阻器作為一種新型非易失性存儲(chǔ)器件具有高速度、低功耗和高密度等優(yōu)勢(shì)，基于憶阻器的存算一體芯片技術(shù)是未來智能芯片發(fā)展的重要路徑。其項(xiàng)目組研發(fā)出了一種可支持多種工作模式的憶阻器，并將其與光晶體管進(jìn)行集成，構(gòu)建了一個(gè)具有可重構(gòu)特性的視覺感存算一體化集成陣列MP1R與硬件系統(tǒng)，這種系統(tǒng)不僅能夠?qū)崟r(shí)感知和處理圖像，還能夠通過新型硬件支持多種神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)算法，克服現(xiàn)有視覺感知硬件在光圖像信息處理和編碼功能上的不足。

清華大學(xué)集成電路學(xué)院長聘副教授高濱

同樣是針對(duì)憶阻器的分享，清華大學(xué)集成電路學(xué)院長聘副教授高濱表示傳統(tǒng)的計(jì)算芯片都是面向確定性計(jì)算進(jìn)行處理的，在經(jīng)典的深度人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)計(jì)算中可以展現(xiàn)出較高的效率，但是在不確定性計(jì)算中卻效率很差，利用憶阻器微觀物理機(jī)制中的本征隨機(jī)性和存算一體特性實(shí)現(xiàn)多種不確定性的計(jì)算功能，構(gòu)筑貝葉斯神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)、同態(tài)加密等多種新型計(jì)算架構(gòu)，能夠?qū)崿F(xiàn)在開放性環(huán)境下的風(fēng)險(xiǎn)感知、主動(dòng)學(xué)習(xí)、聯(lián)邦學(xué)習(xí)等新功能，同時(shí)實(shí)現(xiàn)計(jì)算開銷的大幅降低。

上海交通大學(xué)電子信息與電氣工程學(xué)院教授劉剛

為解決AI技術(shù)發(fā)展所需要的強(qiáng)大算力硬件需求，上海交通大學(xué)電子信息與電氣工程學(xué)院劉剛教授表示，分子突觸是發(fā)展未來碳基仿生計(jì)算技術(shù)的優(yōu)勢(shì)基礎(chǔ)器件。其課題組利用一種具有簡單化學(xué)結(jié)構(gòu)的有機(jī)小分子四苯基卟啉四磺酸（TPPS）制作出分子計(jì)算芯片，可以模擬人腦高效的工作方式，同時(shí)嘗試解決了高速、低功耗、非易失性輸運(yùn)調(diào)控的矛盾問題，集成制造中的穩(wěn)定性、可靠性、均一性和良率問題以及系統(tǒng)應(yīng)用中的建模工具與先進(jìn)算法缺失的問題，不失為是發(fā)展未來高性能計(jì)算技術(shù)的一種方案。

南京大學(xué)類腦智能科技研究中心副主任梁世軍

南京大學(xué)類腦智能科技研究中心副主任梁世軍教授表示，傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件，例如光電與電子的功能化依賴于化學(xué)摻雜手段，一旦制備，器件功能無法進(jìn)行調(diào)控，因此迫切需要通過增強(qiáng)單一器件的功能開發(fā)新型的信息處理技術(shù)，滿足智能時(shí)代的高能效信息處理需求。不同與傳統(tǒng)半導(dǎo)體，二維智能器件能夠通過在材料層面的調(diào)控，將傳統(tǒng)、存儲(chǔ)、計(jì)算、通信等功能在材料中實(shí)現(xiàn)了融合，有望為解決人工智能時(shí)代所面臨的能效瓶頸提供新的思路，但需同步思考如何解決智能器件基本結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)與制備、器件物理模型的構(gòu)建、大規(guī)模集成技術(shù)等科學(xué)與技術(shù)挑戰(zhàn)。

華中科技大學(xué)教授葉鐳

華中科技大學(xué)葉鐳教授同樣表示二維材料是構(gòu)建“存算感連”一體化人工智能硬件的優(yōu)異候選材料，并通過其課題組完成的多光場(chǎng)協(xié)同調(diào)控的光學(xué)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)、可重構(gòu)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)通路、功能重構(gòu)的人工視覺硬件等多項(xiàng)基于二維材料的人工智能硬件實(shí)現(xiàn)成果，為滿足未來人工智能計(jì)算需求提供了新的思路。

此外，該論壇還深度探討了氧化物基神經(jīng)形態(tài)器件、基于硬件-算法協(xié)同的低能耗存算一體技術(shù)、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)啟發(fā)的類腦計(jì)算架構(gòu)與芯片設(shè)計(jì)等話題。

光電子技術(shù)作為信息時(shí)代產(chǎn)業(yè)加速器，正推動(dòng)通信、傳感、醫(yī)療、能源、計(jì)算等領(lǐng)域創(chuàng)新，在高速光纖通信、激光加工、等場(chǎng)景中展現(xiàn)巨大市場(chǎng)潛力。光電子技術(shù)平行論壇聚焦了材料科學(xué)、器件設(shè)計(jì)、系統(tǒng)集成等領(lǐng)域的最新進(jìn)展，并探討技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)升級(jí)路徑。

騰訊光網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)師封建勝

智算中心超大規(guī)?；ミB網(wǎng)絡(luò)具有高質(zhì)量、高帶寬、高效能性價(jià)比等特性，因此需要更加穩(wěn)定可靠的解決方案。騰訊光網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)師封建勝指出，具備高性能、大余量等優(yōu)點(diǎn)的平層光互連技術(shù)可成為質(zhì)量更高、故障率更低的光互連解決方案。但封建勝認(rèn)為現(xiàn)有方案各有優(yōu)劣，以誤碼率為例，DSP方案互連性能最佳，其次是LRO方案和LPO方案，因此要綜合考量。他對(duì)現(xiàn)有方案給出幾點(diǎn)改進(jìn)建議：首先，采用平層光互聯(lián)技術(shù)提高靈敏度點(diǎn)的誤碼率Margin，其次，需要硅光Foundry開發(fā)異質(zhì)集成工藝，在硅光芯片中集成低噪聲SOA；最后，需要開發(fā)者具有端到端的設(shè)計(jì)和仿真能力。

海思光電子有限公司技術(shù)專家曹攀

智算中心網(wǎng)絡(luò)中高速、大容量的光互聯(lián)是支撐大模型高效訓(xùn)練的關(guān)鍵技術(shù)。海思光電子有限公司技術(shù)專家曹攀在報(bào)告中指出，EML因其高帶寬、良好輸出功率、優(yōu)異消光比、低驅(qū)動(dòng)電壓、緊湊尺寸、低功耗和成本效益而成為一種有前景的解決方案。海思光電通過通過優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)、器件封裝和創(chuàng)新的系統(tǒng)方案，使EML支持的單Lane速率從100Gbps到200Gbps。并且，海思光電子的高速EML激光器實(shí)現(xiàn)了110GHz的3dB帶寬，實(shí)現(xiàn)30km標(biāo)準(zhǔn)單模光光纖傳輸。

北京摩爾芯光科技有限公司總監(jiān)賈連希

基于硅光子技術(shù)的調(diào)頻連續(xù)波激光雷達(dá)近年來取得了長足的進(jìn)展，北京摩爾芯光科技有限公司總監(jiān)賈連希介紹了公司在該領(lǐng)域的成果。摩爾芯光的FMCW激光雷達(dá)，利用高度集成化SoC芯片實(shí)現(xiàn)了FPGA替代，有效解決了FPGA架構(gòu)中硬件設(shè)計(jì)復(fù)雜、功耗過高的一系列技術(shù)挑戰(zhàn)。憑借原生抗干擾能力，無論各種天氣狀況，F(xiàn)MCW激光雷達(dá)都能保持穩(wěn)定的性能，無懼鬼影和高反膨脹現(xiàn)象。

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副所長薛春來

基于傳統(tǒng)化合物半導(dǎo)體材料的紅外成像芯片在提升陣列規(guī)模、制造效率和魯棒性等方面面臨極大挑戰(zhàn)。中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副所長薛春來認(rèn)為，硅基VI族合金材料是實(shí)現(xiàn)硅基短波紅外探測(cè)的優(yōu)選材料體系。半導(dǎo)體所在此領(lǐng)域取得了一系列進(jìn)展，如利用CMOS兼容的制造工藝實(shí)現(xiàn)了硅基鍺錫焦平面成像陣列芯片的制備。此外，還實(shí)現(xiàn)了首個(gè)硅基IV族材料短波紅外焦平面成像，證明了硅基高性能短波紅外成像的可行性，為大規(guī)模、高密度硅基紅外FPA的實(shí)現(xiàn)奠定了設(shè)計(jì)、制造基礎(chǔ)。

蘇州工業(yè)園區(qū)納米產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司總經(jīng)理蔡勇

“中國薄膜鈮酸鋰(LNOI)光芯片處于產(chǎn)業(yè)化前夜”，蘇州工業(yè)園區(qū)納米產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司（MEMS RIGHT）總經(jīng)理蔡勇表示，MEMS RIGHT采用標(biāo)準(zhǔn)光刻工藝的鈮酸鋰薄膜電光芯片研發(fā)生產(chǎn)代工線，已實(shí)現(xiàn)大線寬模斑轉(zhuǎn)換器高速電光調(diào)制芯片的成功流片。他還特別指出，CPO可能成為3.2T及以上代際的解決方案，鈮酸鋰廠商有必要關(guān)注CPO兼容問題。

華中科技大學(xué)光學(xué)與電子信息學(xué)院黨委書記唐明

華中科技大學(xué)光學(xué)與電子信息學(xué)院黨委書記唐明以業(yè)界最新進(jìn)展和課題組近期研究成果為依托探討超高速短距相干光互連的可能路徑、發(fā)展方向與應(yīng)用潛力。唐明表示，同源相干傳輸有可能是向單波1.6/3.2T演進(jìn)最好的簡化相干方案，因?yàn)榭梢燥@著降低DSP功耗，極大放寬器件要求，兼容ASIC架構(gòu)，保持經(jīng)典相干SE。他還指出，“光域創(chuàng)新/以光補(bǔ)電”在先進(jìn)制程不易獲得、算力提升趨于邊際的形勢(shì)下成為必由之路，發(fā)展?jié)摿薮蟆Ｍ瑫r(shí)，同源相干架構(gòu)在短距DCN互連之外的研究與應(yīng)用充滿機(jī)遇，包括了長距、星間通信等。

此外，該論壇報(bào)告還深度探討了人工智能光電計(jì)算芯片的機(jī)會(huì)與挑戰(zhàn)、可編程光子芯片等前沿方向，多維度展現(xiàn)了光電子技術(shù)在算力融合與芯片架構(gòu)創(chuàng)新領(lǐng)域的最新發(fā)展水平。

在后摩爾時(shí)代，傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展遭遇瓶頸，而異質(zhì)異構(gòu)集成技術(shù)憑借跨維度融合不同半導(dǎo)體材料與器件的能力，打破單一材料局限，重塑芯片集成模式。異質(zhì)異構(gòu)集成技術(shù)平行論壇聚焦先進(jìn)封裝、三維集成、晶圓鍵合技術(shù)等關(guān)鍵領(lǐng)域，致力于提升芯片性能與功能密度，突破材料兼容、信號(hào)傳輸?shù)燃夹g(shù)壁壘，為低功耗、高效率的系統(tǒng)級(jí)集成開辟新路徑，推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向更智能高效的方向邁進(jìn)。

華中科技大學(xué)光學(xué)與電子信息學(xué)院院長唐江

隨著物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等前沿技術(shù)的蓬勃發(fā)展，信息的高效流轉(zhuǎn)與精準(zhǔn)呈現(xiàn)成為關(guān)鍵。以信息獲取與顯示領(lǐng)域?yàn)槔?，圖像傳感器需要將光電二極管與 CMOS 讀出電路相連，顯示器件則需實(shí)現(xiàn)光電二極管與 TFT 驅(qū)動(dòng)電路的電氣連接。華中科技大學(xué)光學(xué)與電子信息學(xué)院院長唐江分享了團(tuán)隊(duì)在量子點(diǎn)紅外探測(cè)器和鈣鈦礦發(fā)光二極管方面的創(chuàng)新成果，其團(tuán)隊(duì)研制的高性能、低成本短波紅外成像芯片，不僅能實(shí)現(xiàn)高清成像，還具備穿云透霧的獨(dú)特功能。目前，量子點(diǎn)紅外探測(cè)器已經(jīng)達(dá)到消費(fèi)級(jí)穩(wěn)定性，正在向車規(guī)級(jí)穩(wěn)定性發(fā)展。

甬江實(shí)驗(yàn)室功能材料與器件異構(gòu)集成研究中心主任萬青

晶圓鍵合和減薄作為后摩爾時(shí)代的核心共性技術(shù)，在芯片先進(jìn)封裝、MEMS 傳感器、功率電源及光電子芯片等領(lǐng)域具有重要產(chǎn)業(yè)化價(jià)值。甬江實(shí)驗(yàn)室功能材料與器件異構(gòu)集成研究中心主任萬青展示了團(tuán)隊(duì)獨(dú)創(chuàng)的超低成本室溫臨時(shí)鍵合技術(shù)，結(jié)合精密背面減薄工藝，成功制備了8-12英寸、厚度為15微米的單晶硅晶圓。未來，團(tuán)隊(duì)計(jì)劃進(jìn)一步降低減薄后的晶圓厚度偏差，并將技術(shù)拓展至磷化銦、氮化鎵和氧化鎵等晶圓體系，為多元材料集成奠定基礎(chǔ)。

Besi Austria GmbH 技術(shù)負(fù)責(zé)人 Martin Kainz 

在鍵合設(shè)備創(chuàng)新方面，傳統(tǒng)熱壓鍵合工藝由于存在焊料橋接、空洞形成以及對(duì)助焊劑殘留敏感的底部填充等挑戰(zhàn)，已無法滿足微間距鍵合要求。尤其在大尺寸芯片應(yīng)用中，助焊劑殘留的清潔工作會(huì)受到空間幾何限制的影響。Besi Austria GmbH 技術(shù)負(fù)責(zé)人 Martin Kainz 介紹的新型熱壓鍵合機(jī)，集成對(duì)準(zhǔn)檢測(cè)相機(jī)與自動(dòng)吸嘴更換器等核心模塊，在 3σ 標(biāo)準(zhǔn)下達(dá)成 ±0.5µm 的高精度定位，能夠?qū)崟r(shí)補(bǔ)償熱變形帶來的誤差，確保鍵合過程的穩(wěn)定性。同時(shí)，搭載 Besi實(shí)時(shí)鍵合質(zhì)量評(píng)估算法系統(tǒng)，通過動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)與反饋優(yōu)化，相比傳統(tǒng)免助焊劑鍵合工藝，顯著提升鍵合點(diǎn)的結(jié)合強(qiáng)度與一致性，為微間距、大尺寸芯片鍵合提供了高效可靠的解決方案。

拓荊鍵科 (海寧) 半導(dǎo)體設(shè)備有限責(zé)任公司副總裁郭萬里

化合物半導(dǎo)體（如 GaN、InP 等）在異質(zhì)外延生長和鍵合過程中，因晶格常數(shù)不匹配會(huì)產(chǎn)生位錯(cuò)、應(yīng)力及鍵合精度失準(zhǔn)等問題。拓荊鍵科 (海寧) 半導(dǎo)體設(shè)備有限責(zé)任公司副總裁郭萬里分享了針對(duì)鍵合波控制的系統(tǒng)性解決方案與創(chuàng)新技術(shù)，并闡述了企業(yè)在鍵合及相關(guān)產(chǎn)品領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局，為化合物半導(dǎo)體鍵合技術(shù)的發(fā)展提供了新方向。

CUMEC 硅基光電子中心主任馮俊波

近年來，AI 和大數(shù)據(jù)的爆發(fā)式增長催生了對(duì)高帶寬、低功耗光互連的迫切需求，加速了硅光技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，也對(duì)硅基光電子集成技術(shù)提出更高要求。CUMEC的SIN平臺(tái)是國內(nèi)首次完成8英寸800nm氮化硅光子集成平臺(tái)，配套完成器件庫開發(fā)，器件庫數(shù)量基本包含了氮化硅平臺(tái)基礎(chǔ)器件。CUMEC 硅基光電子中心主任馮俊波指出，未來硅基光電子工藝的重點(diǎn)在于實(shí)現(xiàn)更高集成度硅光芯片量產(chǎn)、推動(dòng) CPO 技術(shù)普及、降低成本、拓展新材料應(yīng)用、加速標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程，并在數(shù)據(jù)中心、自動(dòng)駕駛、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用。

九峰山實(shí)驗(yàn)室主任工程師權(quán)志恒

九峰山實(shí)驗(yàn)室主任工程師權(quán)志恒提出，通過異質(zhì)集成將新材料、薄膜 chiplet 融入硅基光電子平臺(tái)，可充分發(fā)揮不同半導(dǎo)體及功能材料的特性，構(gòu)建高性能光電子器件與新型集成芯片系統(tǒng)，滿足高速光通信和 AI 計(jì)算等領(lǐng)域?qū)Υ髱挕⒌凸牡墓δ苄枨蟆?/p>

中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所高級(jí)工程師王宇軒

微轉(zhuǎn)印集成技術(shù)作為異質(zhì)集成的重要分支，能夠在異質(zhì)、復(fù)雜襯底表面實(shí)現(xiàn)單元器件的選擇性、規(guī)模化集成，極大提升了異質(zhì)集成操作的靈活性。中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所經(jīng)多年研究已形成以GaAs、InP及銻化物為代表器件的微轉(zhuǎn)印集成能力，成功實(shí)現(xiàn) InP 基光電探測(cè)器、光電異質(zhì)集成電路等多種器件的集成。五十五所高級(jí)工程師王宇軒指出，在后摩爾時(shí)代，異質(zhì)異構(gòu)集成技術(shù)是提升電路與器件性能的核心突破方向。其中，微轉(zhuǎn)印集成技術(shù)憑借其獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，在跨材料體系、跨物理維度、跨功能模塊的融合應(yīng)用中展現(xiàn)出巨大潛力。

此外，論壇還討論了GaN/Si CMOS單片異質(zhì)集成的可行性、三維異質(zhì)異構(gòu)集成金剛石先進(jìn)散熱技術(shù)、光電共封裝CPO等等，眾多技術(shù)突破正不斷拓展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的邊界，為未來智能時(shí)代的發(fā)展提供堅(jiān)實(shí)的技術(shù)支撐。

第三代半導(dǎo)體通過材料性能躍遷推動(dòng)電力電子系統(tǒng)效率提升，是未來十年全球科技競(jìng)爭(zhēng)的戰(zhàn)略制高點(diǎn)，“十四五” 規(guī)劃將第三代半導(dǎo)體列為重點(diǎn)發(fā)展方向，而中國在該領(lǐng)域的產(chǎn)能擴(kuò)張與關(guān)鍵技術(shù)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)方面已躋身全球先進(jìn)行列。

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長&標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)主任楊富華

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長&標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)主任楊富華在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品評(píng)測(cè)與標(biāo)準(zhǔn)研制平行論壇開場(chǎng)致辭中指出，國家現(xiàn)在強(qiáng)調(diào)各工業(yè)高質(zhì)量發(fā)展，這意味著需要制定高標(biāo)準(zhǔn)，希望產(chǎn)學(xué)研各界積極建言獻(xiàn)策，將團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)制定與產(chǎn)品應(yīng)用有機(jī)結(jié)合起來，才有獲得更大的價(jià)值和意義。

工業(yè)和信息化部電子第五研究所研究員、國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室總師陳媛

在SiC MOSFET標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)展研討中，工業(yè)和信息化部電子第五研究所研究員、國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室總師陳媛老師特別分享了曾在IEC國際標(biāo)準(zhǔn)會(huì)議上發(fā)聲并得到同意和改寫相關(guān)Roadmap的三項(xiàng)SiC MOSFET 動(dòng)態(tài)可靠性試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)及其試驗(yàn)方法與失效機(jī)理。

她指出，AQG324也要求針對(duì) SiC 器件開展動(dòng)態(tài)柵偏、動(dòng)態(tài)反偏／動(dòng)態(tài)H3TRB，但是相關(guān)試驗(yàn)條件仍然存在爭(zhēng)議。動(dòng)態(tài)柵偏、動(dòng)態(tài)反偏／動(dòng)態(tài)H3TRB的電壓變化率、頻率、占空比、正負(fù)電壓幅值、溫度等試驗(yàn)條件都會(huì)對(duì)退化速率產(chǎn)生影響，相關(guān)試驗(yàn)電路和試驗(yàn)步驟也不明確，需要進(jìn)一步細(xì)化相關(guān)要求。

智新半導(dǎo)體有限公司開發(fā)經(jīng)理王民

針對(duì)SiC模塊新能源汽車主驅(qū)應(yīng)用，除了動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試，智新半導(dǎo)體有限公司開發(fā)經(jīng)理王民還從工程實(shí)踐角度特別補(bǔ)充闡述了兩個(gè)針對(duì)芯片和模塊的加嚴(yán)可靠性測(cè)試項(xiàng)目：PCsec秒級(jí)功率循環(huán)和PCmin分鐘級(jí)功率循環(huán)。同時(shí)，他還指出，如今封裝廠用前道工序的老化，提前為客戶的帶載老化進(jìn)行加嚴(yán)測(cè)試，保證客戶電控逆變器的良率。

廣東工業(yè)大學(xué)集成電路學(xué)院教授，CASA標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)GaN功率器件與模塊工作組召集人賀致遠(yuǎn)

對(duì)于最近再次“翻紅”的GaN功率可靠性測(cè)試，廣東工業(yè)大學(xué)集成電路學(xué)院教授，CASA標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì) GaN 功率器件與模塊工作組召集人賀致遠(yuǎn)老師則特別梳理了穩(wěn)定性測(cè)試、可靠性測(cè)試（加速壽命評(píng)價(jià)）和魯棒性測(cè)試（瞬態(tài)電壓、UIS、短路等）的關(guān)鍵技術(shù)點(diǎn)、先進(jìn)方法和國際國內(nèi)相關(guān)廠商的參數(shù)對(duì)比，并介紹了聯(lián)盟GaN標(biāo)準(zhǔn)工作的整體進(jìn)展和思路，與會(huì)者收獲良多。

此外，論壇還討論了半導(dǎo)體功率模塊高濃度硫化氫試驗(yàn)方法發(fā)展與應(yīng)用、SiC功率器件測(cè)試挑戰(zhàn)與標(biāo)準(zhǔn)體系布局規(guī)劃、GaN功率器件開關(guān)運(yùn)行狀態(tài)可靠性試驗(yàn)方法研究進(jìn)展、各種材料表征技術(shù)在寬禁帶半導(dǎo)體里的應(yīng)用等議題。

2025CSE展會(huì)第二天精彩繼續(xù)！近300家參展商，覆蓋“材料-設(shè)備-制造-應(yīng)用”全產(chǎn)業(yè)鏈，各環(huán)節(jié)龍頭齊聚，彰顯化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)熱度與集群效應(yīng)。外地參展商占比超70%，體現(xiàn)光谷打造化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地的號(hào)召力。

第三代半導(dǎo)體機(jī)器人快充新技術(shù)研討會(huì)精彩開講，深度構(gòu)建研發(fā)到應(yīng)用的機(jī)器人快充全產(chǎn)業(yè)鏈垂直交流平臺(tái)，集中呈現(xiàn)了碳化硅/氮化鎵第三代半導(dǎo)體材料在機(jī)器人快充系統(tǒng)、智能充電管理等前沿應(yīng)用成果，為機(jī)器人產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)提供了技術(shù)參考。寬禁帶半導(dǎo)體材料展邊論壇觀眾嘉賓濟(jì)濟(jì)一堂，聚焦材料協(xié)同創(chuàng)新與跨領(lǐng)域應(yīng)用，深入探討了氮化鎵及第四代半導(dǎo)體發(fā)展的方案，推動(dòng)金剛石、GaN與氧化鎵從實(shí)驗(yàn)室競(jìng)爭(zhēng)走向場(chǎng)景化互補(bǔ)......