采用寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）材料的功率二極管具備高擊穿電壓和低導(dǎo)通電阻等特性。然而，基于橫向AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)的GaN橫向功率二極管目前仍然存在較高開啟電壓/導(dǎo)通壓降/泄漏電流所導(dǎo)致的功耗較大問題。

2025年2月26-28日，”2025功率半導(dǎo)體制造及供應(yīng)鏈高峰論壇”將在重慶山城國際會議中心舉辦。本次論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）與三安光電股份有限公司共同主辦，極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.huizhouyinshua.cn）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、重慶三安半導(dǎo)體有限責任公司、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司承辦，重慶郵電大學、重慶大學、湖南三安半導(dǎo)體有限責任公司等單位協(xié)辦。      

松山湖材料實驗室工程師王方洲受邀將出席論壇，并帶來《基于Schottky-MIS級聯(lián)陽極結(jié)構(gòu)的低功耗GaN橫向功率二極管研究》的主題報告，將分享相關(guān)研究成果與進展，涉及Schottky-MIS級聯(lián)陽極結(jié)構(gòu)等內(nèi)容。報告詳情，敬請關(guān)注！  

嘉賓簡介

王方洲

松山湖材料實驗室公共技術(shù)平臺工程師

王方洲，博士，松山湖材料實驗室公共技術(shù)平臺工程師，2018~2023于電子科技大學功率集成技術(shù)實驗室攻讀博士學位，專注于GaN功率半導(dǎo)體器件的理論模型、結(jié)構(gòu)設(shè)計、制造工藝等方面的研究，完整經(jīng)歷公共技術(shù)平臺下屬微加工與器件平臺的GaN器件工藝能力建設(shè)進程。近年來，參與多項國家級和省部級項目，主持完成多項企業(yè)橫向課題，在IEEE Electron Device Lett.和IEEE Trans. Electron Devices等SCI期刊和國際會議上發(fā)表科研論文20余篇，其中第1作者論文10篇，h-index為12，總被引次數(shù)超400次，獲授權(quán)中國發(fā)明專利5項。 

“先進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大會（CASICON）”

“先進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大會（CASICON）”是由極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)主辦，每年在全國巡回舉辦的行業(yè)綜合活動。CASICON 系列活動以助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為己任，聚焦先進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展熱點，聚合產(chǎn)業(yè)相關(guān)各方訴求，持續(xù)輸出高質(zhì)量的活動內(nèi)容。自活動啟動以來，足跡已走過南京、長沙、西安、深圳、成都、濟南、上海等城市，圍繞產(chǎn)業(yè)鏈不同環(huán)節(jié)熱點，通過“主題會議+推薦展示”的形式，搭建了良好的交流平臺，促進了參與各方交流合作，捕捉合作新機遇，發(fā)揮了重要的橋梁與聚合價值。

目前論壇組織正有序進行中，論壇誠邀全產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)專家學者、企業(yè)、從業(yè)人士蒞臨現(xiàn)場交流研討、參觀&合作。日程安排及專家、報告人詳見下圖!