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西安電子科技大學張進成教授將出席第十屆國際第三代半導體論壇并做大會報告| IFWS 2024前瞻

日期:2024-11-09 閱讀:320
核心提示:西安電子科技大學副校長、教授張進成將出席論壇,并將帶來《高功率寬禁帶半導體射頻器件研究進展》的大會報告。

頭圖

2024年11月18-21日,第十屆國際第三代半導體論壇(IFWS2024)&第二十一屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA2024)、先進半導體技術應用創(chuàng)新展(CASTAS)將在蘇州國際博覽中心舉辦。 

西安電子科技大學副校長、教授張進成將出席論壇,并將帶來《高功率寬禁帶半導體射頻器件研究進展》的大會報告。 

高功率寬禁帶半導體射頻器件,尤其是氮化鎵(GaN)毫米波功率器件,在高新技術產(chǎn)業(yè)中發(fā)揮著舉足輕重的作用。在大容量超高速移動通信、高分辨成像雷達等領域具有廣闊應用前景。高功率寬禁帶半導體射頻器件技術在提升系統(tǒng)效率、可靠性以及應對復雜環(huán)境方面具有顯著優(yōu)勢,是未來高新技術發(fā)展的重要方向。,西安電子科技大學研究團隊在這一領域取得了系列重要進展。報告將分享相關研究進展與成果,敬請期待!

嘉賓簡介

 張進成1

張進成

西安電子科技大學副校長、教授

 張進成,西安電子科技大學副校長、教授,西安電子科技大學副校長、寬禁帶半導體器件與集成電路國家工程研究中心副主任、寬帶半導體技術國家級重點實驗室副主任,曾擔任ICNS、DRIP、APWS等國際學術會議電子器件分會主席,微電子學院副院長,科學研究院院長。主要研究領域為寬禁帶與超寬禁帶半導體材料與器件,發(fā)表SCI論文300余篇,出版專著3部,授權發(fā)明專利80余項,成果6次被國際著名雜志Semiconductor Today專題報道。獲得國家技術發(fā)明二等獎2項(排名第一和第二),省部級科技一等獎4項以及國家教學成果一等獎1項。1998年起師從中國科學院院士郝躍教授,從事寬禁帶半導體電子材料與器件研究,是我國乃至國際上最早開展寬禁帶(第三代)半導體電子器件與材料研究的知名學者之一。

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