10月14日，據(jù)“成都發(fā)布”官微消息，萊普科技的全國(guó)總部暨集成電路裝備研發(fā)制造基地項(xiàng)目目前正處于內(nèi)外裝施工階段，預(yù)計(jì)今年年底前完工，明年實(shí)現(xiàn)設(shè)備搬入、投產(chǎn)。

據(jù)介紹，該項(xiàng)目位于成都市高新區(qū)，總投資16.6億元，占地面積39畝，建筑面積6.5萬(wàn)平米，于2023年10月開(kāi)工建設(shè)，預(yù)計(jì)2025年5月前通過(guò)并聯(lián)并行竣工驗(yàn)收，2026年5月全面達(dá)產(chǎn)。公開(kāi)資料顯示，萊普科技成立于2003年，是國(guó)內(nèi)集半導(dǎo)體激光裝備研發(fā)、制造、銷(xiāo)售和服務(wù)為一體的廠商。在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，萊普科技的硅基IGBT激光退火設(shè)備及碳化硅歐姆接觸激光退火設(shè)備與進(jìn)口廠家同廠比對(duì)并勝出，銷(xiāo)售至株洲中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體、無(wú)錫華潤(rùn)上華、上海積塔半導(dǎo)體等企業(yè)。