據(jù)上杭融媒報道，日前，福建晶旭半導體科技有限公司二期項目已經(jīng)進入全面的封頂，主體已經(jīng)全部封頂，現(xiàn)在進入內(nèi)裝階段，力爭在年底之前具備設備模擬的條件。

據(jù)了解，二期項目為基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產(chǎn)項目，于2023年12月開建，總投資16.8億元，建設136畝工業(yè)廠區(qū)，將建成全球首條超寬禁帶半導體高頻濾波芯片生產(chǎn)線，首批產(chǎn)線實現(xiàn)每年400kk產(chǎn)能，企業(yè)產(chǎn)值10億元左右。建成后不僅填補了國內(nèi)在氧化鎵壓電薄膜新材料領域的空白，同時也對上杭縣新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要推動作用。

公開資料顯示，晶旭半導體致力于氧化鎵基通訊射頻濾波器晶圓材料及芯片的研發(fā)生產(chǎn)和服務，具備氧化鎵半導體外延裝備、工藝及芯片自主開發(fā)的能力。公司擁有多項化合物單晶薄膜材料核心專利，特別在5G核心器件：射頻濾波器壓電薄膜材料芯片制備技術上，產(chǎn)品主要應用于5G移動設備、網(wǎng)絡基礎設施、WIFI和GF市場等領域。