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時(shí)代電氣:碳化硅芯片升級(jí)項(xiàng)目預(yù)計(jì)年底可以完成

日期:2023-12-05 閱讀:560
核心提示:近日,有投資者在投資者互動(dòng)平臺(tái)提問:請問公司SIC產(chǎn)線建設(shè)進(jìn)度如何?時(shí)代電氣(688187.SH)12月4日在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示,公司碳化

 近日,有投資者在投資者互動(dòng)平臺(tái)提問:請問公司SIC產(chǎn)線建設(shè)進(jìn)度如何?

時(shí)代電氣(688187.SH)12月4日在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示,公司碳化硅芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項(xiàng)目,項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后,將現(xiàn)有平面柵SiC MOSFET芯片技術(shù)能力提升到滿足溝槽柵SiC MOSFET芯片研發(fā)能力,將現(xiàn)有4英寸SiC芯片線提升到6英寸,將現(xiàn)有4英寸SiC芯片線年10000片/年的能力提升到6英寸SiC芯片線25000片/年。預(yù)計(jì)年底可以完成。

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