近日，北京鎵和半導體有限公司（以下簡稱“鎵和半導體”）正式宣布完成六千五百萬元A輪融資，由凱石資本領投，海通證券、正為資本、盈添投資跟投。

創(chuàng)成匯消息顯示，鎵和半導體創(chuàng)始人唐教授團隊深耕氧化鎵領域十幾年，獲得國家自然科學基金、國家重點研發(fā)計劃等十多項科研基金的支持。鎵和半導體本輪融資將進一步加快在技術突破、產(chǎn)品開發(fā)、產(chǎn)能擴充、人才引進、應用布局等關鍵環(huán)節(jié)的發(fā)展進程，從而為大尺寸氧化鎵襯底及外延國產(chǎn)化提速升級做出貢獻。

鎵和半導體成立于2021年，是一家超寬禁帶半導體材料氧化鎵襯底及外延制造商，主營氧化鎵單晶襯底及外延晶片、單晶及外延生長設備、高靈敏日盲紫外探測器件、大功率電力電子器件等氧化鎵相關產(chǎn)品。

鎵和半導體自成立以來，共申請國內(nèi)發(fā)明專利18項，擁有四項核心技術：氧化鎵單晶生長技術、氧化鎵襯底加工技術、氧化鎵薄膜外延技術、氧化鎵器件技術。