當前，碳化硅和氮化鎵等在光電子領域的發(fā)展已取得顯著的進展。寬禁帶光電子半導體具有較高的電子飽和漂移速度和電子遷移率，使其在高功率應用中表現優(yōu)異，具有的高頻特性優(yōu)勢使其在高頻應用中具有潛力。碳化硅和氮化鎵的光電探測器因其快速響應時間和高靈敏度在通信、安防、醫(yī)學成像等領域取得了突破。在紫外光源方面有很好的應用前景，例如用于水質監(jiān)測、紫外線消毒等領域。

2023年7月26日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”于西安開幕。論壇由第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產業(yè)網（www.huizhouyinshua.cn）、第三代半導體產業(yè)主辦，西安電子科技大學、中國科學院半導體研究所、第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展委員會、全國半導體應用產教融合（東莞）職業(yè)教育集團聯(lián)合組織籌辦。

開幕大會上，廈門大學電子科學與技術學院（微電子學院）副院長、教授張保平做了題為“寬禁帶光電子半導體發(fā)展現狀及趨勢”的主題報告，碳化硅和氮化鎵等寬禁帶光電子半導體在光電子領域的發(fā)展已經取得了顯著的進展。其高功率、高頻、高靈敏度等優(yōu)勢使其成為眾多領域的重要解決方案。報告指出，寬禁帶半導體的帶隙涵蓋了深紫外~可見光~近紅外波段，被用于制作多種光電子器件，包含發(fā)光二極管（LED）、邊發(fā)射激光器（EEL）、垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）和探測器等。至今部分器件已經得到產業(yè)化，如LED在國內產業(yè)化程度極高，已經被廣泛應用于照明、顯示、農業(yè)、殺菌消毒等領域；高端產品Micro/Mini-LED正處于研究開發(fā)的鼎盛期，國內剛剛落地全球首條Micro-LED顯示屏生產線，前景可期；紅光氮化物LED的性能也逐年提高，基于氮化物的RGB 三色光源值得期待。國內的科研團隊報告了國際先進的性能指標，近兩年有幾家企業(yè)相繼成立并開始了相關產品的生產，有望突破國際壟斷。VCSEL方面，無論國內還是國際，仍處于研發(fā)初期，目前有日亞、索尼和斯坦雷電氣等跨國企業(yè)參與到器件的研發(fā)，國際上VCSEL的性能已經接近實用化水平。在大陸，廈門大學為主的科研團隊實現了電注入GaN 基VCSEL，分別于2014 年獲得了電泵藍紫光VCSEL 激射，2016年在國際上首次獲得了“green gap”內的黃綠色發(fā)光VCSEL，并且實現了室溫連續(xù)激射，2021年獲得了國際上最短波長（276 nm，光泵）VCSEL。

嘉賓簡介

張保平，1983年本科畢業(yè)于蘭州大學物理系，1986年于中國電子科技集團第十三研究所獲得碩士學位，1986-1989年在十三所工作。1994年于日本東京大學工學部獲得博士學位。1994-2005年在日本學習工作，主要在理化學研究所和夏普公司進行半導體材料的外延生長、檢測與器件研制。2006年加入廈門大學，任閩江學者特聘教授至今，現任電子科學與技術學院（國家示范性微電子學院）副院長。主持國家863項目，國家重點研發(fā)計劃項目，基金委重點和面上項目，科工局基礎科學挑戰(zhàn)專題等。目前主要進行第三代半導體GaN材料與器件研究，研制了高品質GaN諧振腔，率領團隊在大陸唯一報道了GaN半導體VCSEL，在國際上首次實現綠光波段和UVC波段VCSEL，以及InGaN量子阱激子極化激元激射。2014~2021年連續(xù)入選愛思唯爾（Elsevier）社發(fā)布的中國高被引學者榜單。任“Semiconductor Science and Technology”執(zhí)行編輯，“Nano-Micro Letters”《發(fā)光學報》《人工晶體學報》等編委。

CASICON 系列活動簡介

 “先進半導體產業(yè)大會（CASICON）” 由【極智半導體產業(yè)網】主辦，每年在全國巡回舉辦的行業(yè)綜合活動?；顒泳劢瓜冗M半導體產業(yè)發(fā)展熱點，聚合產業(yè)相關各方訴求，通過“主題會議+項目路演+展覽”的形式，促進參與各方交流合作，積極推動產業(yè)發(fā)展。CASICON 系列活動將以助力第三代半導體產業(yè)為己任，持續(xù)輸出高質量的活動內容，搭建更好的交流平臺，為產業(yè)發(fā)展貢獻應盡的力量。