隨著5G、新能源汽車等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，針對(duì)BSI、功率器件等產(chǎn)品的需求也顯著增加。隨著國(guó)內(nèi)廠商不斷擴(kuò)產(chǎn)，設(shè)備需求量激增，進(jìn)口設(shè)備的交付周期無法滿足市場(chǎng)容量快速增長(zhǎng)的需求。同時(shí)為了提高碳化硅材料的研磨加工效率，很多廠家在襯底材料制備和器件制造段都引入了減薄工序，減薄設(shè)備在碳化硅材料端和芯片端形成了完備的產(chǎn)業(yè)布局。北京中電科公司在已有減薄機(jī)的基礎(chǔ)上研究碳化硅等超硬材料減薄工藝關(guān)鍵技術(shù)及核心部件，推出6/8英寸碳化硅減薄研磨機(jī)，實(shí)現(xiàn)設(shè)備、工藝、耗材的匹配，打通客戶工藝線。目前設(shè)備進(jìn)入碳化硅襯底材料端和芯片制造端領(lǐng)軍企業(yè)，樹立良好口碑。

2023年5月5-7日，“2023碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及其他新型半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展論壇”在長(zhǎng)沙召開。論壇在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導(dǎo)下，由極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)與中國(guó)電子科技集團(tuán)第四十八研究所等單位聯(lián)合組織。論壇圍繞“碳化硅襯底、外延及器件相關(guān)裝備產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展”、“關(guān)鍵零部件及制造工藝創(chuàng)新突破”、“產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同創(chuàng)新”、“氮化鎵與氧化鎵等其他新型半導(dǎo)體”，邀請(qǐng)產(chǎn)業(yè)鏈上下游的企業(yè)及高?？蒲性核砩钊胙杏?，攜手促進(jìn)國(guó)內(nèi)碳化硅及其他半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

期間，在“碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及配套材料技術(shù)”分論壇上，北京中電科電子裝備有限公司副總經(jīng)理劉國(guó)敬分享了“碳化硅材料及器件減薄工藝解決方案”主題報(bào)告。

報(bào)告首先簡(jiǎn)要概述了碳化硅減薄工藝方面的知識(shí)，講述了減薄的定義，減薄的方式以及減薄機(jī)磨片關(guān)注的關(guān)鍵工藝指標(biāo)。并講述了目前在碳化硅材料端減薄機(jī)取得的應(yīng)用和工藝解決方案，再碳化硅器件減薄設(shè)備的應(yīng)用和工藝解決方案。

最后簡(jiǎn)要講述了北京中電科公司的所有產(chǎn)品以及應(yīng)用領(lǐng)域。

嘉賓簡(jiǎn)介：劉國(guó)敬，畢業(yè)于電子科技大學(xué)，研究生學(xué)歷，現(xiàn)任北京中電科電子裝備有限公司副總經(jīng)理，正高級(jí)工程師，多年來，以國(guó)家戰(zhàn)略需求和產(chǎn)業(yè)升級(jí)為導(dǎo)向，持續(xù)發(fā)力集成電路高端電子制造核心裝備的自主創(chuàng)新，專注于國(guó)產(chǎn)集成電路減薄設(shè)備的自主設(shè)計(jì)和研發(fā)工作，為用戶提供成套工藝解決方案。帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)研發(fā)的一系列減薄機(jī)設(shè)備已應(yīng)用于材料加工、芯片制造和封裝等工藝段，同時(shí)在第三代半導(dǎo)體、化合物等材料加工領(lǐng)域也有廣泛的應(yīng)用。參與的國(guó)家02重大專項(xiàng)“300mm超薄晶圓減薄拋光一體機(jī)項(xiàng)目”，獲得中國(guó)電子科技集團(tuán)公司科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)，曾申請(qǐng)發(fā)明專利11項(xiàng)，以第一作者發(fā)表學(xué)術(shù)論文5篇，參與了《電子技術(shù)自動(dòng)化發(fā)展與應(yīng)用研究》著作的編委工作。