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士蘭微擬定增65億元,加碼SiC功率器件生產(chǎn)線(xiàn)等項(xiàng)目

日期:2023-03-02 閱讀:288
核心提示:士蘭微發(fā)布公告稱(chēng),擬向特定對(duì)象發(fā)行A股股票募集資金總額不超過(guò)650,000.00萬(wàn)元(含本數(shù)), 扣除發(fā)行費(fèi)用后的募集資金凈額擬用于

士蘭微發(fā)布公告稱(chēng),擬向特定對(duì)象發(fā)行A股股票募集資金總額不超過(guò)650,000.00萬(wàn)元(含本數(shù)), 扣除發(fā)行費(fèi)用后的募集資金凈額擬用于SiC功率器件生產(chǎn)線(xiàn)等項(xiàng)目。

公告顯示,本次向特定對(duì)象發(fā)行募集資金擬主要用于投資建設(shè)“年產(chǎn)36萬(wàn)片12英寸芯片生產(chǎn)線(xiàn)項(xiàng)目”、“SiC 功率器件生產(chǎn)線(xiàn)建設(shè)項(xiàng)目”和“汽車(chē)半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目(一 期)”。其中,“年產(chǎn)36萬(wàn)片12英寸芯片生產(chǎn)線(xiàn)項(xiàng)目”建成后將形成一條年產(chǎn)36萬(wàn)片12英寸功率芯片生產(chǎn)線(xiàn),用于生產(chǎn)FS-IGBT、T-DPMOSFET、SGT-MOSFET功率芯片產(chǎn)品;“SiC功率器件生產(chǎn)線(xiàn)建設(shè)項(xiàng)目”達(dá)產(chǎn)后將新增年產(chǎn)14.4萬(wàn)片 SiC-MOSFET/SBD功率半導(dǎo)體器件芯片的生產(chǎn)能力;“汽車(chē)半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目(一 期)”達(dá)產(chǎn)后將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)720萬(wàn)塊汽車(chē)級(jí)功率模塊的新增產(chǎn)能。

上述三個(gè)項(xiàng)目建設(shè)系公司在高端功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心戰(zhàn)略規(guī)劃之一,是公司積極推進(jìn)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級(jí)轉(zhuǎn)型的重要舉措。公司將充分利用自身在車(chē)規(guī)和工業(yè)級(jí)功率半導(dǎo)體器件與模塊領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和IDM模式下的長(zhǎng)期積累,把握當(dāng)前汽車(chē)和新能源產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的機(jī)遇,進(jìn)一步加快產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整步伐,抓住國(guó)內(nèi)高門(mén)檻行業(yè)和客戶(hù)積極導(dǎo)入國(guó)產(chǎn)芯片的時(shí)間窗口,擴(kuò)大公司功率芯片產(chǎn)能規(guī)模、銷(xiāo)售占比和成本優(yōu)勢(shì),不斷提升市場(chǎng)份額和盈利能力。該項(xiàng)目的順利實(shí)施有助于提高公司對(duì)下游市場(chǎng)的供貨保障能力和客戶(hù)供應(yīng)鏈安全性,持續(xù)鞏固公司國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體IDM 龍頭企業(yè)優(yōu)勢(shì)地位,實(shí)現(xiàn)打造具有國(guó)際一流競(jìng)爭(zhēng)力的綜合性的半導(dǎo)體產(chǎn)品供應(yīng)商的戰(zhàn)略發(fā)展目標(biāo)。

士蘭微系國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體IDM龍頭企業(yè),資料顯示,近年來(lái),公司憑借其在8英寸和12英寸產(chǎn)線(xiàn)的率先布局,成為行業(yè)景氣度上行的受益者,實(shí)現(xiàn)了從家電向汽車(chē)和工業(yè)領(lǐng)域的擴(kuò)張和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的四大升級(jí)。在IGBT領(lǐng)域,公司產(chǎn)品線(xiàn)由IPM 模塊拓展至車(chē)規(guī)級(jí)IGBT模塊與單管;在MOSFET領(lǐng)域,公司實(shí)現(xiàn)了高壓超級(jí)結(jié) MOS 和 SGT MOS 產(chǎn)品的批量出貨;在電源管理IC領(lǐng)域,公司自主研發(fā)的快充芯片和 DC/DC 批量出貨;在MEMS傳感器領(lǐng)域,公司所采用MEMS工藝的重力傳感器正在快速實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。相比于國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體廠(chǎng)商正處在從8英寸轉(zhuǎn)向12英寸生產(chǎn)的過(guò)程中,公司目前已在12英寸晶圓產(chǎn)線(xiàn)上生 MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。

公告指出,半導(dǎo)體行業(yè)屬于典型的技術(shù)密集型和資本密集型行業(yè)。作為IDM企業(yè),公司具有資產(chǎn)相對(duì)偏重的特征,為滿(mǎn)足產(chǎn)業(yè)鏈中下游客戶(hù)強(qiáng)勁的產(chǎn)品需求,保障公司的業(yè)務(wù)拓展、產(chǎn)品迭代和產(chǎn)線(xiàn)建設(shè),公司需要持續(xù)的研發(fā)投入和大量的流動(dòng)資金支持。通過(guò)本次向特定對(duì)象發(fā)行募集資金補(bǔ)充流動(dòng)資金,一方面,可以滿(mǎn)足公司業(yè)務(wù)持續(xù)發(fā)展需要,提升公司核心競(jìng)爭(zhēng)力,鞏固公司龍頭地位;另一方面,可以緩解公司流動(dòng)資金壓力,優(yōu)化公司資產(chǎn)負(fù)債結(jié)構(gòu),降低公司財(cái)務(wù)風(fēng)險(xiǎn),提高公司資金使用的靈活性。

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