2月22日，南京國博電子股份有限公司（  證券代碼：688375 ，證券簡稱：國博電子）發(fā)布公告稱，公司根據(jù)射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項目整體規(guī)劃，擬使用自有或自籌資金購買位于南京市江寧區(qū)金鑫西路以東、鳳礦路以西地塊的土地使用權(quán)（最終購買金額和面積以實際出讓文件為準），并開展射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項目二期建設。

公告顯示，本次項目投資預計為6.98億元，其中土地使用權(quán)購置費預計0.40億元，設計采購施工總承包費用預計6.02億元。并且，若國博電子本次成功購得標的地塊，計劃在接收標的土地之日起的6個月內(nèi)開工建設，并在開工后24個月內(nèi)完成竣工驗收備案，預計在竣工驗收之日后24個月實現(xiàn)達產(chǎn)。

本次投資的相關背景：

近年來，國家相繼推出了一系列政策鼓勵和支持集成電路行業(yè)發(fā)展。2020年，國務院發(fā)布《關于印發(fā)新時期促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展若干政策的通知》（國發(fā)〔2020〕8號），從財稅、投融資、研究開發(fā)、進出口、人才、知識產(chǎn)權(quán)、市場應用、國際合作等八個方面鼓勵集成電路設計、裝備、材料、封裝、測試企業(yè)發(fā)展，進一步優(yōu)化產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境，深化產(chǎn)業(yè)國際合作，提升產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力和發(fā)展質(zhì)量。

為把握市場發(fā)展機遇、助推國內(nèi)射頻集成電路產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展，推動公司逐步構(gòu)建射頻集成電路完整產(chǎn)業(yè)鏈，經(jīng)公司2019年年度股東大會審議批準，公司投資16.62億元建設“射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項目”（以下簡稱“項目”）。項目規(guī)劃用地總面積約203畝，其中一期征地約103畝，二期征地約100畝，建設中試廠房、芯片廠房、模塊廠房以及配套設施等建筑，規(guī)劃建筑總面積18.34萬平方米，并購置工藝設備。

目前，項目一期已完成征地103畝，取得蘇（2020）寧江不動產(chǎn)權(quán)第0008095號土地權(quán)證；已基本完成中試廠房、芯片廠房和模塊廠房的建設和工藝設備購置，新增建設面積15.08萬平方米。

本次建設項目為項目二期，擬使用自有或自籌資金購買位于南京市江寧區(qū)金鑫西路以東、鳳礦路以西地塊的土地使用權(quán)（最終購買金額和面積以實際出讓文件為準）約99.76畝，新建兩棟廠房、地下室和配套生活設施等共計7.66萬平方米；投資估算約6.98億元，其中土地使用權(quán)購置費預計0.40億元，設計采購施工總承包費用估計6.02億元。公司將與相關政府部門、有關單位簽訂與本項目涉及的土地購買、項目建設有關的合同、協(xié)議等文件。

對外投資對公司的影響：

國博電子表示，本項目為公司射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項目的二期，與公司已建設的項目一期地塊為相鄰區(qū)域，將為公司的產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供基礎保障，符合公司戰(zhàn)略發(fā)展需要。本次建設投資的資金來源為自有或自籌資金，不會對公司財務及經(jīng)營情況產(chǎn)生重大不利影響，也不存在損害公司及股東利益的情況。

南京國博電子股份有限公司主要從事有源相控陣T/R組件和射頻集成電路相關產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，產(chǎn)品覆蓋軍用與民用領域，是目前國內(nèi)能夠批量提供有源相控陣T/R 組件及系列化射頻集成電路相關產(chǎn)品的領先企業(yè)。

公司技術人才實力雄厚，碩士、博士200余人。公司承擔了多項國家發(fā)改委、工信部射頻微波集成電路專項和產(chǎn)業(yè)化項目，擁有100余項自主知識產(chǎn)權(quán)。

公司以創(chuàng)新為理念，高科技為支撐，緊跟移動通信發(fā)展的趨勢，建立了以化合物半導體為核心的技術體系和系列化產(chǎn)品布局，產(chǎn)品覆蓋射頻芯片、模塊、組件。軍用領域，國博電子作為參與國防重點工程的重要單位，長期為陸、海、空、天等各型裝備配套大量關鍵產(chǎn)品，確保了以T/R 組件為代表的關鍵軍用元器件的國產(chǎn)化自主保障，為我國國防裝備發(fā)展做出了重要貢獻。民用領域，國博電子作為基站射頻器件核心供應商，砷化鎵基站射頻集成電路技術處于國內(nèi)領先、國際先進水平，為我國自主可控產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)建和產(chǎn)業(yè)鏈安全做出了重大貢獻。