近期，天域半導體、天科合達半導體兩家碳化硅企業(yè)均獲得新一輪融資。

》》天域半導體獲約12億元融資

廣東天域半導體股份有限公司（以下簡稱“天域半導體”）獲約12億人民幣融資，投資方包括中國比利時基金、廣東粵科投、南昌產業(yè)投資集團、嘉元科技、招商資本、乾創(chuàng)資本等。

本輪融資資金將繼續(xù)用于增加碳化硅外延產線的擴產以及持續(xù)加大碳化硅大尺寸外延生長研發(fā)投入。

天域半導體成立于2009年，是一家碳化硅（SiC）外延片企業(yè)，乾創(chuàng)資本消息顯示，該公司是國內最早實現(xiàn)6英寸外延晶片量產，20 kV級以上的厚外延生長實現(xiàn)，緩變結、陡變結等n/p型界面控制技術，多層連續(xù)外延生長技術的企業(yè)。

據(jù)悉，天域半導體已提前布局國內8英寸SiC外延晶片工藝線的建設，正積極突破研發(fā)8英寸SiC工藝關鍵技術。

》》天科合達完成Pre-IPO輪融資

近期，北京天科合達半導體股份有限公司（以下簡稱“天科合達”）完成Pre-IPO輪融資，投資方包括京銘資本體系京銘鴻瑞產業(yè)基金、歷金銘科產業(yè)基金以及青島匯鑄英才產業(yè)基金等。

天科合達成立于2006年，是一家從事第三代半導體碳化硅（SiC）晶片研發(fā)、生產和銷售的國家級高新技術企業(yè)。目前擁有北京總部基地、北京研發(fā)中心和三家全資子公司，一家控股子公司，產業(yè)涵蓋碳化硅單晶爐制造、碳化硅單晶生長原料制備、碳化硅單晶襯底制備和碳化硅外延制備。

京銘資本消息顯示，天科合達從2020年開始開展8英寸導電型SiC單晶襯底的研發(fā)工作，經過2年多技術攻關，突破了8英寸晶體擴徑生長和晶片加工等關鍵技術難題，成功制備出高品質8英寸導電型SiC單晶襯底。

據(jù)介紹，天科合達目前產能正在不斷突破，北京二期和徐州二期也在進一步規(guī)劃中，預計2025年底，6英寸有效年產能達到55萬片，6到8英寸，可根據(jù)實際需求進行快速產能切換。

近期，北京天科合達半導體股份有限公司（以下簡稱“天科合達”）完成Pre-IPO輪融資，投資方包括京銘資本體系京銘鴻瑞產業(yè)基金、歷金銘科產業(yè)基金以及青島匯鑄英才產業(yè)基金等。

天科合達成立于2006年，是一家從事第三代半導體碳化硅（SiC）晶片研發(fā)、生產和銷售的國家級高新技術企業(yè)。目前擁有北京總部基地、北京研發(fā)中心和三家全資子公司，一家控股子公司，產業(yè)涵蓋碳化硅單晶爐制造、碳化硅單晶生長原料制備、碳化硅單晶襯底制備和碳化硅外延制備。

京銘資本消息顯示，天科合達從2020年開始開展8英寸導電型SiC單晶襯底的研發(fā)工作，經過2年多技術攻關，突破了8英寸晶體擴徑生長和晶片加工等關鍵技術難題，成功制備出高品質8英寸導電型SiC單晶襯底。

據(jù)介紹，天科合達目前產能正在不斷突破，北京二期和徐州二期也在進一步規(guī)劃中，預計2025年底，6英寸有效年產能達到55萬片，6到8英寸，可根據(jù)實際需求進行快速產能切換。