近期，北京天科合達半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱“天科合達”）完成Pre-IPO輪融資，投資方包括京銘資本體系京銘鴻瑞產(chǎn)業(yè)基金、歷金銘科產(chǎn)業(yè)基金以及青島匯鑄英才產(chǎn)業(yè)基金等。

天科合達成立于2006年，是一家從事第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）晶片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的國家級高新技術(shù)企業(yè)。目前擁有北京總部基地、北京研發(fā)中心和三家全資子公司，一家控股子公司，產(chǎn)業(yè)涵蓋碳化硅單晶爐制造、碳化硅單晶生長原料制備、碳化硅單晶襯底制備和碳化硅外延制備。

京銘資本消息顯示，天科合達從2020年開始開展8英寸導(dǎo)電型SiC單晶襯底的研發(fā)工作，經(jīng)過2年多技術(shù)攻關(guān)，突破了8英寸晶體擴徑生長和晶片加工等關(guān)鍵技術(shù)難題，成功制備出高品質(zhì)8英寸導(dǎo)電型SiC單晶襯底。

據(jù)介紹，天科合達目前產(chǎn)能正在不斷突破，北京二期和徐州二期也在進一步規(guī)劃中，預(yù)計2025年底，6英寸有效年產(chǎn)能達到55萬片，6到8英寸，可根據(jù)實際需求進行快速產(chǎn)能切換。