半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊：三十四年的傳承與積淀，兩年一次的相聚與暢談。8月16日，以“探索材料新動能 · 智創(chuàng)未來芯發(fā)展”為主題的第十七屆全國MOCVD學術會議在山西太原隆重開幕。

開幕大會現(xiàn)場
 

山西省副省長于英杰，中國科學院院士侯洵，中科院院士、西安電子科技大學教授郝躍，中科院外籍院士、中科院北京納米能源所所長王中林，國家漢辦原主任許琳，廈門大學黨委書記、教授張榮，中北大學黨委書記、教授沈興全，太原市委副書記、市長張新偉，科技部發(fā)展計劃司原司長王曉方，國際半導體照明聯(lián)盟（ISA）、科技部國際合作司原司長靳曉明，科技部高新技術司原司長秦勇，中國有色金屬學會理事長賈明星，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟與中關村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟理事長吳玲，基金委信息學部副主任何杰，科技部高新司材料處調(diào)研員曹學軍，中科院半導體研究所副所長薛春來，北京大學理學部副主任、寬禁帶半導體研究中心主任、教授沈波，中國科學院蘇州納米所研究員徐科等領導以及一大批業(yè)界資深專家、教授和優(yōu)秀中青年學者出席本次會議。來自MOCVD技術領域重量級專家、機構(gòu)嘉賓、學者、企業(yè)家代表近700人參與本次學術盛會。大會開幕式由大會主席、中國科學院半導體研究所李晉閩研究員主持。

 

半導體設備與材料多年來一直被視為中國集成電路產(chǎn)業(yè)自主發(fā)展的一大瓶頸和短板。隨著國內(nèi)新一輪集成電路投資擴產(chǎn)熱潮的興起，半導體設備需求也水漲船高。MOCVD作為半導體產(chǎn)業(yè)最為核心的重大裝備之一，其技術進步是學術界與產(chǎn)業(yè)界一直以來共同關注的話題。

 

本屆會議由國家科學技術部、山西省科學技術廳指導，太原市人民政府、中國有色金屬學會、中國科學院半導體研究所、中關村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）聯(lián)合主辦，半導體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室、北京第三代半導體材料及應用工程技術研究中心、山西中科潞安紫外光電科技有限公司、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同承辦，中北大學、太原理工大學、山西師范大學、山西浙大新材料與化工研究院協(xié)辦。

 

其中，陜西科技大學材料原子·分子科學研究所、中科潞安、中微公司、云南鑫耀、AIXTRON  SE、馬爾文帕納科、南大光電、上海先普、Horiba堀場、中鎵半導體、中晟光電、康鵬半導體、賽微儀器、納維科技、志橙半導體、伯奢詠懷、承明光電、中拓光電、賽默飛、正通遠恒、金竟科技、鵬城半導體、尚勤光電、鎵特半導體、頤光科技、中博芯、芯港半導體、佰技奧、六方碳素、聚睿眾邦、凱威碳、力冠微電子、上海匯析、興晟新材料、德智新材、嘉儀通科技、江蘇第三代半導體研究院等來自半導體關鍵設備、襯底材料、外延芯片、測量、檢測、石墨國內(nèi)外知名廠商機構(gòu)亮相本次會議，助力MOCVD關鍵設備及技術產(chǎn)學研用合作，加速先進光電技術與智能綠色制造國產(chǎn)化進程。會議圍繞“探索材料新動能 · 智創(chuàng)未來芯發(fā)展”這一主題開展廣泛又深入的交流探討。

山西省副省長于英杰、全國政協(xié)教科衛(wèi)體委員會副主任、原科技部副部長曹健林，太原市委副書記、市長張新偉，中國有色金屬學會理事長賈明星、中科院半導體研究所副所長薛春來等通過線上線下方式為大會開幕致詞。

山西省副省長于英杰出席大會并致辭

 

全國政協(xié)教科衛(wèi)體委員會副主任、原科技部副部長曹健林為大會致辭
 

全國政協(xié)教科衛(wèi)體委員會副主任、原科技部副部長曹健林采用線上方式為大會致辭。他表示，MOCVD技術支持并引領了化合物半導體的發(fā)展，已成為第三代半導體材料及器件不可或缺的關鍵技術，我國MOCVD技術也經(jīng)歷了一段長期的歷史發(fā)展過程。第三代半導體材料在國內(nèi)的成長可以說是現(xiàn)代科學技術在發(fā)展中國家成長普及，并不斷走向更大更廣應用的典型。過去20多年是中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)和MOCVD大發(fā)展的一段特殊的歷史時期，我們在很多領域都走在了世界前列，我國的高新技術在不斷的向中西部地區(qū)擴展。山西省非常重視相關技術的發(fā)展，并把它作為新技術成長的一個代表，也希望有更多新的研發(fā)成果和產(chǎn)業(yè)技術被帶到山西，促進山西高新技術發(fā)展不斷取得成功。

中國有色金屬學會理事長賈明星為大會致辭

 

MOCVD技術已在各類重要化合物材料與器件制備上得到了廣泛的應用，極大推動了各類光電子和微電子器件的發(fā)展和產(chǎn)業(yè)化。中國有色金屬學會理事長賈明星致辭時表示，我國有色金屬行業(yè)通過產(chǎn)學研用技術攻關，自主創(chuàng)新等努力，不斷突破技術瓶頸，逐步縮小了與國際先進技術水平的差距，迅速實現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)的升級。新世紀以來，在國家創(chuàng)新技術的指引下，我國有色金屬行業(yè)實現(xiàn)了跨越式發(fā)展，取得了一批重要的科研成果，研發(fā)了一批具有領先水平的工藝，技術和裝備。今年以來，面對復雜的國內(nèi)外環(huán)境，有色金屬行業(yè)運行保持總體向好的態(tài)勢。不過，有色金屬工業(yè)仍然面臨能源資源的制約和高性能材料發(fā)展落后的短板，特別是裝備依然依賴進口。盡快突破第三代半導體材料及器件制備關鍵技術是半導體廣大科技工作者的光榮使命和歷史責任，希望科研力量多多交流，為推動MOCVD技術和半導體材料的發(fā)展貢獻力量。

中科院半導體研究所副所長薛春來為大會致辭

 

從上個世紀五六十年代開始，我國已將半導體技術列為國家重要的新技術之一，中科院半導體研究所副所長薛春來致辭表示，中國科學院半導體研究所建所60多年來始終踐行半導體國家隊的使命擔當，在我國半導體發(fā)展的各個歷史階段都曾做過重要貢獻，在半導體基礎物理，核心材料和關鍵器件與系統(tǒng)集成等領域取得了一系列重大突破，有力推動了我國半導體科研及產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新發(fā)展。近年來深紫外LED相關科研成果也在山西落地生長，并取得了顯著的社會和經(jīng)濟效益，為山西的創(chuàng)新驅(qū)動轉(zhuǎn)型發(fā)展做出了積極貢獻。當前，國際形勢風云變幻，面對日益嚴峻的科技博弈，科技自立自強已成為抓住重大戰(zhàn)略機遇應對風險挑戰(zhàn)的必然選擇，希望廣大半導體人共同為我國MOCVD和化合物半導體科技產(chǎn)業(yè)的發(fā)展建言獻策，發(fā)展新理念，帶來新動力。

 

在大會主題報告環(huán)節(jié)，大會主席、中國科學院半導體研究所李晉閩研究員與第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、中關村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟理事長吳玲共同主持。

大會主席、中國科學院半導體研究所李晉閩研究員主持大會報告環(huán)節(jié)

大會主席、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、中關村半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟理事長吳玲主持大會報告環(huán)節(jié)
 

中國科學院院士、西安電子科技大學郝躍教授帶來了“超寬禁帶半導體器件與材料的若干新進展 ”的主題報告；中科院外籍院士、中國科學院北京納米能源與系統(tǒng)研究所王中林院士帶來了“第三代半導體中的壓電電子學與壓電光電子學“的主題報告；廈門大學校長張榮教授介紹了氮化物半導體基 Micro-LED顯示技術新進展；大會主席、中國科學院半導體研究所李晉閩研究員帶來了“氮化物深紫外LED光源助力公共衛(wèi)生安全 ”的主題報告。幾大精彩主題報告，從技術、應用、產(chǎn)業(yè)，趨勢等角度，前沿與務實，廣度與深度結(jié)合，為技術和產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來新的思路與視角。

中科院院士、西安電子科技大學教授郝躍分享大會報告
 

寬禁帶和超寬禁帶半導體材料和器件是當前和未來重要的研究領域和有挑戰(zhàn)性的方向，是高能效電子器件發(fā)展的重要代表，并逐漸引起各方的重視，國際上針對金剛石和氧化鎵為代表的超寬禁帶半導體材料也開始呈現(xiàn)出新的競爭對抗態(tài)勢。郝躍院士在報告中具體詳細分享了代表性的氧化鎵半導體材料與器件，金剛石半導體材料與器件，高AI-AIGaN器件等材料器件國內(nèi)外的最新技術水平、研究進展以及國內(nèi)研究力量的最新研究成果，技術難點的解決方案和應用進展。郝院士表示，超寬緊帶半導體有其自身獨特的優(yōu)勢，應用也逐漸向好的方向發(fā)展，會有很好的發(fā)展前景，也建議國內(nèi)企業(yè)多關注超寬禁帶材料的研究。

中科院外籍院士、中科院北京納米能源所所長王中林分享大會報告

 

寬禁帶材料具有非中心對稱的晶體結(jié)構(gòu)，因而表現(xiàn)出顯著的壓電特性，長期以來這些材料中壓電極化電荷和半導體特性的耦合過程被忽略。近年來對于壓電電子學和壓電光電子學的基礎及應用研究取得了快速地發(fā)展。多種功能材料中的壓電電子學和壓電光電子學的基本效應得到了系統(tǒng)深入地研究，相關的理論體系得以建立，諸多壓電電子學和壓電光電子學器件也被設計研發(fā)。會上，王中林院士帶來了壓電學理論與研究成果的分享，報告結(jié)合具體的數(shù)據(jù)內(nèi)容，分享了當前壓電學的研究進展與最前沿的研究成果，涉及壓電學的多種效應，同時從壓電學與第三代半導體材料和應用發(fā)展關聯(lián)性的原理角度，帶來不同新視角的啟發(fā)。

廈門大學黨委書記張榮教授分享大會報告
 

第三代半導體材料在不同領域的應用非常廣泛，其中，LED可以說是其第一個較成熟的應用突破口，伴隨著“元宇宙”等新時代的展開，Micro-LED顯示應用又迎來了一波新的發(fā)展機遇，作為應用的支撐，技術的發(fā)展水平非常重要。張榮教授分享了其帶領的團隊在氮化物半導體基顯示技術方面的最新研究及成果。報告結(jié)合Micro-LED的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)，從外延結(jié)構(gòu)設計、芯片制備、全彩化方案、系統(tǒng)集成、納米LED等方面詳細分享了團隊最新的多個研究發(fā)現(xiàn)和研究成果。研究提出并實現(xiàn)了AI輔助外延結(jié)構(gòu)設計方法，采用側(cè)壁修復鈍化及離子注入等方法大幅提升了Micro-LED器件性能。成功實現(xiàn)了氮化物紅光Micro-LED，量子點色轉(zhuǎn)換紅光Micro-LED等全彩化技術。開發(fā)出多款新型集成技術，采用多種方法，實現(xiàn)系列納米LED。

大會主席、中國科學院半導體研究所李晉閩研究員分享大會報告
 

當前，人們對于綠色、環(huán)保、安全的重視度在不斷的提高，隨著全球化加速發(fā)展，公共衛(wèi)生風險對人口流動和經(jīng)濟活動造成前所未有的限制，防范和化解重大疫情和突發(fā)公共衛(wèi)生風險的重要性不言而喻?；诘谌雽w氮化鎵材料的紫外LED光源具有節(jié)能環(huán)保、壽命長、開啟速度快、輻射強度可控、光譜可定制等優(yōu)勢，成為維護公共衛(wèi)生安全的重要力量。紫外LED是半導體光電產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新藍海，“雙碳”戰(zhàn)略也給包括紫外LED產(chǎn)業(yè)在內(nèi)的綠色環(huán)保節(jié)能產(chǎn)業(yè)帶來新的發(fā)展契機。當前氮化物深紫外LED仍面臨來自深紫外專用的MOCVD設備，低缺陷密度的高AI組分氮化物材料、深紫外波段的封裝材料與工藝等方面的技術挑戰(zhàn)。李晉閩研究員在報告中全面詳細分享了氮化物深紫外LED技術研發(fā)進展與發(fā)展趨勢，氮化物深紫外LED應用示范與產(chǎn)業(yè)機遇。報告指出，未來氮化物深紫外LED技術將向新型高效量子結(jié)構(gòu)設計、量子阱極性調(diào)控技術、高電導率透明p型AIGaN層制備技術，納米結(jié)構(gòu)深紫外波段透明等方向發(fā)展。應用領域也將呈現(xiàn)多場景多樣態(tài)以及平臺化等趨勢。

 

除了精彩的開幕式報告，大會還同期設置了“材料生長及物性表征 ”、“光電子材料與器件 ”、“功率電子與射頻電子器件”及“新興半導體材料及應用”四個主題分會，并有POSTER交流和企業(yè)展覽展示。前沿研究內(nèi)容與應用展示結(jié)合，前瞻性與落地性兼顧，盡力為與會嘉賓和青年科研代表提供前沿技術研究進展以及更多的研發(fā)視角。

 
現(xiàn)場交流
 

此次大會同時開通了開閉幕式精彩主題報告現(xiàn)場直播，更有圖片直播實時呈現(xiàn)，與業(yè)界共享精彩內(nèi)容，更多詳細豐富內(nèi)容可掃碼觀看：

 

開幕大會直播回放二維碼：

圖片直播二維碼：