梁駿吾院士1933年9月18日生于湖北武漢，1997年當選中國工程院院士。他先后榮獲國家科委科技成果二等獎和新產(chǎn)品二等獎各1次，國家科技進步三等獎1次、中科院重大成果和科技進步一等獎3次、二等獎4次，上海市科技進步二等獎1次等各種科技獎共20余次。

 

梁駿吾院士從事半導體材料科學研究工作六十多年，是我國早期半導體硅材料的奠基人。上世紀60年代解決了高純區(qū)熔硅的關(guān)鍵技術(shù)；1964年制備出室溫激光器用 GaAs 液相外延材料；1979年研制成功為大規(guī)模集成電路用的無位錯、無旋渦、低微缺陷、低碳、可控氧量的優(yōu)質(zhì)硅區(qū)熔單晶；80年代首創(chuàng)了摻氮中子嬗變硅單晶，解決了硅片的完整性和均勻性的問題；90年代初研究 MOCVD 生長超晶格量子阱材料，在晶體完整性、電學性能和超晶格結(jié)構(gòu)控制方面，將中國超晶格量子阱材料推進到實用水平；他還在太陽電池用多晶硅的研究和產(chǎn)業(yè)化等方面發(fā)揮著積極作用。