日前，氮化鎵（GaN）外延材料供應(yīng)商蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“晶湛半導(dǎo)體”）宣布，公司于近日完成B+輪數(shù)億元戰(zhàn)略融資。

 

本輪融資由歌爾微電子領(lǐng)投，高瓴創(chuàng)投、惠友資本、創(chuàng)新工場、禾創(chuàng)致遠(yuǎn)、共青城軍合、無限基金、三七互娛、中信證券等跟投，老股東元禾控股、湖杉資本等繼續(xù)加碼。

圖片來源：晶湛半導(dǎo)體官微截圖

 

晶湛半導(dǎo)體透露，本次B+輪戰(zhàn)略融資將主要用于公司總部和研發(fā)中心建設(shè)，項目達產(chǎn)后晶湛半導(dǎo)體將建成國際一流、國內(nèi)首屈一指的氮化鎵電力電子、射頻電子以及微顯示材料研發(fā)生產(chǎn)基地，推動公司進入新的發(fā)展階段。

 

 

公開資料顯示，晶湛半導(dǎo)體成立于2012年，是一家從事光電材料和氮化鎵電子材料研發(fā)生產(chǎn)的企業(yè)，公司的150mmGaN-on-Si外延片能夠達到1萬片/月。

 

作為氮化鎵（GaN）外延材料的供應(yīng)商，晶湛半導(dǎo)體多年來布局半導(dǎo)體領(lǐng)域，手持“投入”與“創(chuàng)新”這兩把利劍，力求突破核心技術(shù)領(lǐng)域。

 

2013年8月，晶湛半導(dǎo)體開始在蘇州納米城建設(shè)GaN外延材料生產(chǎn)線，可年產(chǎn)150mm氮化鎵外延片2萬片。

 

2014年底，晶湛半導(dǎo)體率先在全球首次發(fā)布商用8英寸硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品，經(jīng)有關(guān)下游客戶驗證，該材料填補了國內(nèi)氮化鎵產(chǎn)業(yè)的空白。

 

2021年9月，晶湛半導(dǎo)體全球首發(fā)12英寸硅基電力電子氮化鎵外延片，贏得了業(yè)內(nèi)廣泛關(guān)注。

 

據(jù)透露，截至目前，該公司在氮化鎵外延領(lǐng)域已掌握多項核心技術(shù),擁有完全獨立的自主知識產(chǎn)權(quán)，公司已在國內(nèi)外累計申請近400項專利，其中已獲得超100項專利授權(quán)。

 

經(jīng)過多年的發(fā)展，晶湛半導(dǎo)體已經(jīng)成為國內(nèi)GaN材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的領(lǐng)軍企業(yè)。此外，晶湛半導(dǎo)體于去年11月透露，公司已經(jīng)為全球150多家半導(dǎo)體企業(yè)和研究院供應(yīng)半導(dǎo)體原材料。

 

 

據(jù)了解，近年來，在國家“十四五”規(guī)劃、“碳達峰碳中和”等重磅利好政策的指導(dǎo)下，在移動手機快充、新能源汽車、下一代移動通信、“元宇宙”和新型顯示等市場創(chuàng)新應(yīng)用的持續(xù)推動下，氮化鎵迎來了高速發(fā)展期。

 

氮化鎵企業(yè)抓住機遇迅猛發(fā)展，同時也得到了資本的大力加持。除了上述的晶湛半導(dǎo)體，還有多家氮化鎵企業(yè)獲得資本投資。


圖片來源：全球半導(dǎo)體觀察根據(jù)公開信息整理

 

 

2021年8月，珠海鎵未來科技（以下簡稱“鎵未來”）宣布獲得數(shù)千萬A輪融資。本輪投資由珠海科創(chuàng)投領(lǐng)投，大橫琴創(chuàng)新發(fā)展有限公司、禮達基金跟投。境成資本作為天使輪領(lǐng)投方，本輪繼續(xù)追加投資。

 

鎵未來董事長叢遠(yuǎn)華表示，未來，鎵未來將通過核心技術(shù)自研+全產(chǎn)業(yè)鏈的布局，推動高端氮化鎵功率器件大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

 

 

2021年8月，南芯半導(dǎo)體宣布完成近3億元D輪融資。本輪融資由光速中國與vivo聯(lián)合領(lǐng)投，龍旗、元禾璞華、臨芯資本、張江浩珩等新股東跟投，老股東紅杉中國、國科嘉和進一步加持。

 

南芯半導(dǎo)體創(chuàng)始人兼CEO阮晨杰表示，本輪融資將用于引進人才，豐富產(chǎn)品線，加快產(chǎn)品研發(fā)周期等。

 

 

2021年8月，VisIC Technologies公司完成一輪3500萬美元的融資，以支持越來越多汽車客戶的強勁需求。

 

該輪融資由金沙江資本和宏光半導(dǎo)體通過Fast Semi Corporation領(lǐng)投。晶方半導(dǎo)體作為共同投資者加入本輪融資，投資1000萬美元。

 

VisIC Technologies是用于電動交通應(yīng)用的氮化鎵（GaN）功率器件的全球領(lǐng)導(dǎo)者，專注于高功率汽車解決方案。

 

 

據(jù)36報道，2021年8月，功率氮化鎵晶體管及其柵極驅(qū)動研發(fā)公司成都氮矽科技有限公司（以下簡稱“氮矽科技”）完成千萬級Pre-A輪融資，本輪融資由老股東鼎青投資追投。本輪資金將主要用于產(chǎn)品研發(fā)以及產(chǎn)品銷售等方面。

 

氮矽科技成立于2019年，公司主要研發(fā)基于第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）的芯片，專注于氮化鎵功率器件及其驅(qū)動芯片的設(shè)計研發(fā)、銷售及方案提供。目前，氮矽科技的功率氮化鎵產(chǎn)品已批量出貨，主要運用于快消品市場。

 

 

2021年11月，GaN Systems獲得1.5億美元戰(zhàn)略融資，以加速GaN技術(shù)在其汽車、消費、工業(yè)和企業(yè)市場的創(chuàng)新和采用。富達領(lǐng)投，投資方還有Vitesco Technologies，寶馬iVentures等。

 

 

據(jù)外媒報道，2021年12月，氮化鎵芯片企業(yè)Transphorm獲得1290萬美元（約8208萬元人民幣）的股權(quán)融資。完成新一輪融資后，Transphorm表示，公司將繼續(xù)推進此前宣布的在納斯達克上市計劃。

 

Transphorm是一家設(shè)計、生產(chǎn)氮化鎵功率轉(zhuǎn)換器和模塊的企業(yè)，公司產(chǎn)品應(yīng)用于電源、功率適配器、馬達驅(qū)動器、太陽能轉(zhuǎn)換器以及電動車輛等領(lǐng)域。

 

 

根據(jù)勢能資本消息，2021年12月，江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司（以下簡稱“能華微電子”）宣布完成數(shù)億元C輪融資。

 

能華微電子本次融資由中信證券投資、勢能資本等跟投，老股東上海善金、中信建投跟投，勢能資本擔(dān)任獨家財務(wù)顧問。本輪融資將用于建設(shè)能華微電子在長三角地區(qū)的第二家FAB（制造車間）。

 

據(jù)介紹，能華微電子成立于2010年6月，是目前國內(nèi)唯一一家能夠自主研發(fā)氮化鎵外延片、功率器件和射頻器件的半導(dǎo)體企業(yè)。公司產(chǎn)品包括硅基氮化鎵外延片（EPI）、碳化硅氮化鎵外延片（EPI）、氮化鎵功率場效應(yīng)管（HEMT）、氮化鎵射頻場效應(yīng)管、GaN快充電源模塊設(shè)計等，貫穿半導(dǎo)體制造全流程。

 

 

2022年2月，英國多孔氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體材料開發(fā)商和Micro LED技術(shù)提供商Porotech宣布完成2000萬美元A輪融資。本輪融資由阿米巴資本領(lǐng)投，三星風(fēng)投，弘暉基金，及個人投資人跟投，老股東Speed invest持續(xù)加注跟投。

 

公開資料顯示，Porotech是劍橋大學(xué)孵化的公司，致力于寬帶隙化合物GaN半導(dǎo)體的開發(fā)，通過應(yīng)用材料技術(shù)和解決方案，釋放GaN的全部應(yīng)用潛力。

 

 

鈦信資本消息指出，2022年2月，英諾賽科（蘇州）科技有限公司（簡稱“英諾賽科”）完成近30億元D輪融資。本輪融資由鈦信資本領(lǐng)投，毅達資本、海通創(chuàng)新等機構(gòu)跟投。

 

官網(wǎng)顯示，英諾賽科成立于2015年12月，是一家采用IDM模式、致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的高新技術(shù)企業(yè)。該公司通過自主研發(fā)首次實現(xiàn)8英寸硅基氮化鎵外延與芯片的大規(guī)模量產(chǎn)。

 

此外，根據(jù)Trendforce集邦咨詢2021年數(shù)據(jù)，英諾賽科氮化鎵功率產(chǎn)品全球市場占有率一舉攀升至20%，躍升為全球第三，排名僅次于納微、PI

 

 

5G、大數(shù)據(jù)和物聯(lián)網(wǎng)等新興技術(shù)的發(fā)展，使得芯片需求不斷攀升，同時催動半導(dǎo)體材料的技術(shù)升級、第一代、第二代、第三代半導(dǎo)體材料逐漸進入行業(yè)視野，其中，半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）成為市場的熱捧對象。