近日，杭州昕原半導體主導建設(shè)的國內(nèi)首條28/22nm ReRAM（阻變存儲器）12寸中試生產(chǎn)線順利完成自主研發(fā)設(shè)備的裝機驗收工作，實現(xiàn)了中試線工藝流程的通線，并成功流片（試生產(chǎn)）。

昕原半導體成立于2019年，專注于ReRAM新型存儲器產(chǎn)品及相關(guān)衍生產(chǎn)品的研發(fā)，已成長為國內(nèi)新型存儲器技術(shù)的頭部企業(yè)，也是國際上新型存儲器產(chǎn)品商業(yè)化最快的公司。公司開發(fā)的ReRAM存儲器具有密度高、能耗低、讀寫速度快及下電數(shù)據(jù)保存的特點，可形成未來存儲架構(gòu)的最后一級緩存（FLC，F(xiàn)inal Level Cache），消除內(nèi)存與外存間的“存儲墻”。作為最具潛力的下一代主力存儲器，ReRAM能廣泛應(yīng)用于人工智能、工業(yè)控制、消費電子、汽車、物聯(lián)網(wǎng)、云計算等領(lǐng)域。

圖源：昕原半導體

據(jù)杭州日報報道，傳統(tǒng)CMOS代工廠或因囿于資源所限，迭代速度較慢，從而影響工藝開發(fā)進度，而國內(nèi)各大科研院所雖可在實驗室階段加快迭代速度，但沒有標準的12寸量產(chǎn)產(chǎn)線，實驗成果往往很難走向量產(chǎn)。昕原自行搭建的28/22nm ReRAM（阻變存儲器）12寸中試生產(chǎn)線就解決了上述問題。汲取了代工廠和實驗室的長處，迭代速度快，產(chǎn)線靈活，擁有自主可控的知識產(chǎn)權(quán)，使得ReRAM相關(guān)產(chǎn)品的快速實現(xiàn)變成了可能。

昕原半導體相關(guān)負責人表示，目前在ReRAM領(lǐng)域國內(nèi)外差距較小，壁壘尚未形成，為我國存儲器產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)“彎道超車”提供了可能。目前該公司是除臺積電外，唯一一家在28nm/22nm先進制程ReRAM實現(xiàn)量產(chǎn)的公司。