近日，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦的第七屆國際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會(huì)展中心舉行。
期間，“固態(tài)紫外材料與器件技術(shù)“論壇上，香港科技大學(xué)教授李世瑋、艾歐史密斯（中國）熱水器有限公司技術(shù)總監(jiān)陳小波、廣西大學(xué)物理學(xué)院光電材料與器件研究中心教授孫文紅、中山大學(xué)電子信息工程學(xué)院教授江灝、西安電子科技大學(xué)副教授寧靜、北京大學(xué)王柳冰，挪威科學(xué)院院士、挪威科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授Helge WEMAN，廈門大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院副院長、教授黃凱，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員魏同波，北京大學(xué)物理學(xué)院副教授許福軍，集美大學(xué)張議聰，廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所先進(jìn)材料平臺(tái)副主任何晨光博士，桂林電子科技大學(xué)教授張法碧，鄭州大學(xué)Muhammad Nawaz Sharif，港科技術(shù)（佛山）有限公司董國帥等精英專家們通過線上線下等不同方式帶來精彩報(bào)告，分享前沿研究成果。廈門大學(xué)教授康俊勇和中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員魏同波共同主持了本次論壇。
中山大學(xué)電子信息工程學(xué)院教授江灝做了題為“利用界面效應(yīng)的高Al組分AlGaN的高效p型摻雜及其深紫外光電探測應(yīng)用”的主題報(bào)告，分享了最新研究成果。報(bào)告介紹利用界面摻雜效應(yīng)提高鎂摻雜效率的研究。提出將摻雜界面分為上下界面，其中下部界面有利于Mg取代Al，而上部有利于Mg取代Ga。因此，引入金屬源脈沖流以促進(jìn)界面效果。
可見光信息傳輸系統(tǒng)的出現(xiàn)正在深刻影響著物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的未來，物聯(lián)網(wǎng)復(fù)雜的傳感和驅(qū)動(dòng)電路已成為阻礙信號(hào)轉(zhuǎn)換和處理的關(guān)鍵因素。西安電子科技大學(xué)副教授寧靜做了題為“基于維度調(diào)控的GaN紫外LED及光電集成”的主題報(bào)告，分享了最新研究成果，為實(shí)現(xiàn)影響物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的低功率光通信傳輸系統(tǒng)提供一種新方法，同時(shí)也是基于GaN新型生長機(jī)理的原創(chuàng)性工作。
北京大學(xué)王柳冰做了題為“通過引入透明復(fù)合p型層和Ag納米點(diǎn)/Al反射電極相結(jié)合提高深紫外LED的光提取效率”的主題報(bào)告。結(jié)合深紫外LED的研究背景，分享了兼顧深紫外LED電學(xué)特性和光學(xué)特性的技術(shù)手段，以及取得的研究成果。研究結(jié)果顯示，研究設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了高透明復(fù)合p型層與Ag納米點(diǎn)/Al電極相結(jié)合的新型深紫外LED結(jié)構(gòu)，在保證電學(xué)性能的基礎(chǔ)上提高了光提取效率。
挪威科學(xué)院院士、挪威科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授Helge WEMAN做了題為“使用石墨烯作為透明導(dǎo)電襯底的AlGaN納米線UV LED”的視頻報(bào)告，其目前專注于研究使用MOVPE和MBE在石墨烯上自組裝GaN納米線的生長。取得了使用納米尺寸的AlGaN成核島在未經(jīng)處理的CVD石墨烯上實(shí)現(xiàn)了非常高的成核率等進(jìn)展。
廈門大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院副院長、教授黃凱做了題為“紫外光電器件中的極化激元和等離激元研究”的主題報(bào)告。通過引入極化子或等離子體激元等新概念，可以獲得具有新特性或高性能的光電子器件。報(bào)告展示了廈門大學(xué)在這方面取得的一些最新進(jìn)展。
北京大學(xué)物理學(xué)院副教授許福軍做了題為“高質(zhì)量AlN實(shí)現(xiàn)路徑探索及深紫外發(fā)光器件應(yīng)用”的主題報(bào)告，分享了相關(guān)研究成果。其課題組系統(tǒng)開展了藍(lán)寶石襯底上高質(zhì)量AlN外延生長和缺陷控制研究，探索了AlN外延薄膜晶體質(zhì)量提升的控制路徑，取得了諸多進(jìn)展。
集美大學(xué)張林君做了題為“AlGaN基UV-LED的熱阻分析”的主題報(bào)告。研究通過MOCVD外延技術(shù)和倒裝結(jié)構(gòu)封裝工藝來探討264 nm的UVC LED的光、電、熱的物理特性。研究結(jié)果在UV滅菌光源、UV固化光源等應(yīng)用領(lǐng)域具有很高的研究價(jià)值，特別是其高亮度、高穩(wěn)定、長壽命的特點(diǎn)。
鄭州大學(xué)Muhammad Nawaz Sharif帶來了題為”銦摩爾分?jǐn)?shù)對InGaN基近紫外發(fā)光二極管光學(xué)性能的影響“的視頻主題報(bào)告，報(bào)告顯示，InGaN基量子阱 (QW) 具有更高的穿透位錯(cuò)密度 (TDD)，盡管TDD較高，但QW中的銦 (In) 波動(dòng)會(huì)產(chǎn)生具有較高銦成分的局域激子。定域激子防止結(jié)合載流子非輻射復(fù)合，因銦成分較高而減少的非輻射復(fù)合導(dǎo)致自發(fā)發(fā)射率和內(nèi)量子效率 (IQE) 提高。
艾歐史密斯（中國）熱水器有限公司技術(shù)總監(jiān)陳小波做了題為“紫外殺菌技術(shù)在凈水器中的應(yīng)用”的主題報(bào)告，紫外殺菌具有殺菌效率高、無化學(xué)污染物、適用性強(qiáng)等特點(diǎn)，相比傳統(tǒng)汞燈，UVC LED具有很多優(yōu)勢，靜態(tài)殺菌過流式殺菌等應(yīng)用狀況，當(dāng)前，UVC LED殺菌應(yīng)用存在著過流式模塊體積大、UVC LED殺菌率低、UVC LED成本高等難點(diǎn)。未來隨著凈水需求的提高，以及凈水器市場的增長，市場巨大。
港科技術(shù)（佛山）有限公司董國帥做了題為“峰值波長為 222nm 的遠(yuǎn)紫外線KrCl準(zhǔn)分子燈的活化能和壽命研究”的主題報(bào)告，分享了最新研究成果。對于具有各種長度/半徑的 KrCl Excilamp，成功地描繪了相對于歸一化距離的歸一化輻照度。
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所先進(jìn)材料平臺(tái)副主任何晨光博士分享了異質(zhì)外延AlN材料的缺陷和應(yīng)變調(diào)控研究成果。
桂林電子科技大學(xué)教授張法碧分享了紫外探測用Ga2O3合金研究的最新進(jìn)展。
中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員魏同波做了“AlN薄膜的應(yīng)力調(diào)制、剝離及深紫外LED器件”的主題報(bào)告。
廣西大學(xué)物理學(xué)院光電材料與器件研究中心教授孫文紅分享了深紫外LED可靠性研究進(jìn)展。
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