作為第三代半導體材料，碳化硅（SiC）與硅（Si）相比，介電擊穿強度更大、飽和電子漂移速度更快且熱導率更高。因此，當用于半導體器件中時，碳化硅器件擁有高耐壓、高速開關、低導通電阻、高效率等特性，有助于降低能耗和縮小系統(tǒng)尺寸。碳化硅可以廣泛應用于電動汽車、逆變器、軌道交通、太陽能、風力發(fā)電、消費類電源等領域。

 

近日，由半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導體產(chǎn)業(yè)（公號）、博聞創(chuàng)意會展（深圳）有限公司共同主辦的“2021第三代半導體技術及充電產(chǎn)業(yè)合作論壇”在“ELEXCON深圳國際電子展暨嵌入式系統(tǒng)展”同期舉行。論壇特別邀請第三代半導體相關專家、快充產(chǎn)業(yè)鏈相關專家及企業(yè)代表，探討第三代半導體技術及充電產(chǎn)業(yè)機遇與挑戰(zhàn)。

南方科技大學研究員、荷蘭代爾夫特理工大學訪問教授葉懷宇做了題為“碳化硅快充/逆變器的先進微納金屬燒結封裝技術”的主題報告，分享了最新研究進展。

 

汽車電動化趨勢日趨明顯，汽車半導體用量呈現(xiàn)翻倍以上增長的勢頭，電動汽車半導體用量總價達到704$/輛，增長幅度達到108%。平均每輛新能源車使用約50顆IGBT：2020年，全球新能源汽車銷量約為331萬輛，2025年，預計突破1800萬輛。

 

全球電網(wǎng)建設加大力度，行業(yè)咨詢機構GlobalMarketInsights日前發(fā)布報告稱，預計到2024年，全球智能電網(wǎng)的市場規(guī)模將達到700億美元。在全球各國政府的支持下，智能電網(wǎng)的滲透率將持續(xù)增長，預計未來3年內，全球智能電網(wǎng)市場的復合增長率將超過20%。2018-2050年，骨干網(wǎng)架新增線路長度17.7萬公里、輸電容量7.2億干瓦，其中海纜1.09萬公里、跨海輸電容量2.04億千瓦，投資合計3900億美元。

報告圍繞著納米銅燒結技術研究、納米Cu和A的驗證研究、不同封裝結構的燒結演示，結合具體的實驗結果，分享了最新研究成果。指出，已開發(fā)出具有優(yōu)異性能的新型納米銅基漿料，設計制造第二代低電感碳化硅功率模塊（3nH和2.5nH），設計并制造了一個1 kA/10 kV半橋壓裝式高電壓高電流IGBT功率模塊。

 

葉懷宇，致力于半導體先進封裝測試，第三代半導體功率電子器件封裝互聯(lián)新材料開發(fā)及應用、熱管理及能源管理、測試機理及應用，高功率高頻率半導體器件非平衡態(tài)熱力學，新型半導體傳感器及封裝的開發(fā)及應用，電子器件模塊及系統(tǒng)中能源管理及可持續(xù)應用等方面的研究。