光大證券研報指：第三代半導體大勢所趨自主可控能力較強，新能源汽車為其帶來巨大增量：第三代半導體材料主要分為碳化硅SiC和氮化鎵GaN，在高溫、高壓、高功率和高頻領域將替代前兩代半導體材料。新能源汽車為SiC的最重要下游領域，主要應用包括主驅逆變器、DC/DC轉換器、車載充電機和充電樁等，國內廠商布局第三代半導體的設備、襯底、外延和器件全產業(yè)鏈環(huán)節(jié)，包括難度最大的襯底長晶環(huán)節(jié)，自動化程度較高的外延環(huán)節(jié)和應用于下游市場的器件環(huán)節(jié)，第三代半導體全產業(yè)鏈布局，可完全自主可控能力較強。