在山東省政府日前公布的關于印發(fā)《落實“六穩(wěn)”“六保”促進高質量發(fā)展政策清單（第二批）的通知》中，明確提出，自2021年起山東省自然科學基金設立集成電路專項基金，面向全球支持優(yōu)秀科技人才聯(lián)合我省團隊開展基礎理論和應用基礎研究，在重大科技創(chuàng)新工程中設立集成電路專項，支持關鍵核心技術攻關。濟南市2021年政府工作報告中，也提出“將大力發(fā)展集成電路等產業(yè)，優(yōu)化升級國家集成電路設計產業(yè)化基地，推動富能半導體項目投產達效。”
此前本報曾報道，1月27日，富能功率半導體項目已經實現產品下線，有媒體稱“標志著山東首條芯片加工制造線進入實際生產階段”。項目第一期一階段投產后，將有望達到年產36萬片8英寸硅基功率器件（MOSFET Super Junction IGBT）和1萬片6寸碳化硅功率器件（SIC MOSFET）的生產能力。據此前公布數據，僅第一期的投入金額就高達60億元。
據悉，富能功率半導體項目規(guī)劃總占地面積630畝，共分三期建設。富能功率半導體項目生產的各類晶體管產品，可廣泛應用于消費電子、新能源裝備和汽車電子等領域。據承建方中鐵十四局披露的信息，要生產芯片這種高精密產品，對工廠標準要求極高，該項目技術標準高出國家驗收標準的4倍，潔凈度最高達到普通手術室的10-100倍，“芯片生產廠房對地基的要求非常高，微米級震動控制甚至需要把飛機起落震動的影響都考慮進去。”
在該項目上，濟南國資方面“著墨”頗多，濟南高新控股集團有限公司2019年預付濟南富能半導體方面的款項達到12.75億元。其2020年報表明，濟南高新控股集團有限公司在富能半導體方面已經注資22.95億元。
