2019年全球分立功率半導(dǎo)體器件的市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到403億元，2015-2019年復(fù)合增長(zhǎng)率為5.3%。在中國(guó)市場(chǎng)，分立功率半導(dǎo)體器件的市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)增長(zhǎng)，由2015年的110億美元增至2019年的145億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率約7.3%。
全球市場(chǎng)規(guī)模不斷增加
分立功率半導(dǎo)體器件指用于電力電子作為開(kāi)關(guān)或整流器的分立半導(dǎo)體器件，且與其他功率器件組裝時(shí)作為功率IC的一部分。分立功率半導(dǎo)體器件可分為三極管、品閘管和二極管。
2019年全球分立功率半導(dǎo)體器件的市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到403億元，2015-2019年復(fù)合增長(zhǎng)率為5.3%。未來(lái)，隨著全球需求的普遍增加，加上中國(guó)制造分立器件的能力增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)市場(chǎng)規(guī)模將會(huì)繼續(xù)增長(zhǎng)。
在全世界上，除MOSFET之外的三極管如IGBT及BJT在按產(chǎn)品類(lèi)別劃分的市場(chǎng)份額一直維持領(lǐng)先，2019年占36.9%;市場(chǎng)份額排在第二位的是二極管，2019年占比為32.7%;MOSFET市場(chǎng)份額為26.0%，排名第三。
MOSFET在中國(guó)市場(chǎng)占據(jù)首位
在中國(guó)市場(chǎng)，分立功率半導(dǎo)體器件的市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)增長(zhǎng)，由2015年的110億美元增至2019年的145億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率約7.3%。展望未來(lái)，依據(jù)全球需求的普遍上升，加上中國(guó)制造分立器件如MOSFET、二極管及三極管的龐大產(chǎn)能，市場(chǎng)規(guī)模預(yù)期將會(huì)持續(xù)增長(zhǎng)。
按器件類(lèi)別劃分，MOSFET在分立功率半導(dǎo)體器件當(dāng)中排名首位，2019年占市場(chǎng)規(guī)模的36.3%，其次為二極管、其他三極管(包括IGBT)及晶閘管，市場(chǎng)份額分別為32.2%、26.0%及5.5%。
在MOSFET下游應(yīng)用(如電動(dòng)車(chē)、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)(連接至互聯(lián)網(wǎng)的實(shí)體裝置，即IoT)及消費(fèi)電子產(chǎn)品)的快速發(fā)展基礎(chǔ)下，按MOSFET銷(xiāo)售額劃分的市場(chǎng)規(guī)模已由2015年的37億美元增至2019年的53億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率約9.2%。
2019年中國(guó)的MOSFET、IGBT及二極管之出口值分別為24.39億元、20.91億元及15.95億元，自2015年至2019年分別按4.0%、4.7%及3.9%的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)。
通過(guò)資金投資及科學(xué)合作發(fā)揮的巨大力量使電子產(chǎn)品及半導(dǎo)體器件的核心技術(shù)持續(xù)突破。例如，晶圓尺寸持續(xù)擴(kuò)大以滿足容納更多微芯的需求且中國(guó)硅料供應(yīng)商的目標(biāo)為在國(guó)內(nèi)開(kāi)發(fā)更大的12英寸晶圓，以取代現(xiàn)有的六英寸晶圓。因此，分立功率半導(dǎo)體器件制造商若具備敏感度并能符合新發(fā)展技術(shù)趨勢(shì)，將能建立其競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
