近日，由國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）與第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）主辦，南方科技大學微電子學院與北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導體論壇（IFWS 2020）在深圳會展中心召開。

 

期間，由廣東芯聚能半導體有限公司，中電化合物半導體有限公司，英諾賽科(珠海)科技有限公司共同協(xié)辦的功率電子器件及封裝技術(shù)分會上，重慶大學電氣工程學院副教授曾正分享了碳化硅功率模塊的先進封裝測試技術(shù)的最新進展。

 

相對于硅基功率器件，碳化硅功率器件的開關(guān)速度更快、芯片面積更小、絕緣耐壓更高、楊氏模量更大，給碳化硅功率模塊的封裝測試技術(shù)提出了嚴峻挑戰(zhàn)。面向電動汽車、新能源發(fā)電等應用領(lǐng)域，針對碳化硅功率模塊的發(fā)展趨勢與技術(shù)壁壘，報告探討碳化硅功率模塊的高溫、高壓、高可靠、低感、低熱阻等先進封裝技術(shù)，以及碳化硅功率模塊的低成本、高精度、高阻抗、低干擾等先進測試技術(shù)，為碳化硅功率器件的封裝測試和工業(yè)應用提供新的思路和方法。

 

報告指出功率半導體行業(yè)涉及跨學科交叉，包括很長的產(chǎn)業(yè)鏈，是復雜的系統(tǒng)工程，環(huán)環(huán)相扣，晶圓材料、芯片制造、封裝測試、應用集成等缺一不可；先進封裝技術(shù)是發(fā)揮SiC器件優(yōu)異性能的關(guān)鍵；先進測試技術(shù)是表征SiC器件電熱性能的關(guān)鍵；急需產(chǎn)-學-研的協(xié)同創(chuàng)新，人才、資本、技術(shù)和市場的有機整合。
 

曾正目前的研究領(lǐng)域包括新型功率器件封裝集成與系統(tǒng)應用、新能源并網(wǎng)變流器運行控制與可靠性等。目前主持國家重點研發(fā)計劃子課題2項、國家自然科學基金1項、重慶市自然科學基金1項，已主持完成橫向和其他各類項目8項。出版學術(shù)專著2部，發(fā)表SCI/EI期刊論文100余篇（其中IEEE/IET會刊20余篇），入選ESI高被引論文1篇，入選“中國精品科技期刊頂尖論文(F5000)”1篇，獲評中國電機工程學會優(yōu)秀論文4篇，被引2000余次，H影響因子26，授權(quán)發(fā)明專利10項，曾獲浙江大學優(yōu)秀博士學位論文獎、GE基金會科技創(chuàng)新獎等獎勵多項。
 

（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）