隨著高性能計(jì)算需求的旺盛增長(zhǎng)，芯片制造商的超高端封裝工藝也被推向了新的極限。為滿(mǎn)足芯片帶寬的極端需求，許多芯片設(shè)計(jì)商已經(jīng)考慮直接在同一塊基板上部署大容量的高帶寬緩存（HBM）。多年來(lái)，臺(tái)積電一直在發(fā)展其 CoWoS-S 封裝技術(shù)，以使芯片設(shè)計(jì)商能夠充分利用更強(qiáng)大的邏輯芯片和 HBM 堆棧。目前這種復(fù)雜設(shè)計(jì)的限制之一，就是光刻工具的標(biāo)線片限制。

最近，臺(tái)積電一直在努力突破尺寸上的限制，從 1.5x 到 2x，一直到預(yù)計(jì)的 3x 標(biāo)線片尺寸。2021 年的時(shí)候，該公司還計(jì)劃提供多達(dá) 8 個(gè)的 HBM 堆疊。

在今年的技術(shù)研討會(huì)上，臺(tái)積電進(jìn)一步展望了這項(xiàng)技術(shù)的發(fā)展前景。預(yù)計(jì)到 2023 年的時(shí)候，其能夠交付具有 4x 標(biāo)線片尺寸的中介層，以及容納多達(dá) 12 個(gè)的 HBM 堆棧。

我們有望在 2023 年迎來(lái)更快的 HBM 緩存，但目前最快的還是三星的 Flashbolt 3200 MT/s 模塊（HBME2）。

其具有 12 個(gè) HBM 堆棧，可實(shí)現(xiàn) 4.92 TB/s 的內(nèi)存帶寬，較當(dāng)今最復(fù)雜的設(shè)計(jì)還要快得多。

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