長鑫存儲產能正在爬坡、武漢新芯產能利用率達到100%、百億中鴻新晶第三代半導體產業(yè)集群項目落地濟南、華為自研GaN快充充電器主控芯片、日月光拿下中興通訊(39.290, -1.83, -4.45%)5G基站芯片訂單、云塔科技推出自主研制5G毫米波濾波器……。
簽約、開工浪潮過后，本周有部分重大項目與企業(yè)傳捷報。
長鑫存儲
據新華社報道，在長鑫存儲技術有限公司，一臺臺來自全球各地的設備正在緊鑼密鼓地安裝調試中。這是長鑫存儲2019年投產的內存芯片設計和制造項目，它給全球半導體設備和耗材供應商帶來共贏商機。長鑫存儲執(zhí)行副總裁劉紅雨表示，公司產品已通過部分頭部企業(yè)的產線驗證，產能正在爬坡，今年計劃月產4萬片12英寸晶圓。
武漢新芯
據武漢新芯官方消息，在70多天的防疫戰(zhàn)中，武漢新芯廠內員工、廠商人員及所有后勤保障人員無一感染。同時，隨著武漢防疫形勢的好轉，武漢新芯也從3月28日開始，產能利用率達到100%，并從4月6日開始，連續(xù)創(chuàng)出日運載率指數歷史新高。
此外，在過去兩個多月的防疫戰(zhàn)中，武漢新芯綜合產能利用率始終保持在70%以上。
中鴻新晶第三代半導體產業(yè)集群項目
4月8日，中鴻新晶第三代半導體產業(yè)集群項目(彩虹集團LED)簽約落地濟南。中鴻項目計劃總建設周期5年，項目總投資111億元，完成并購瑞典ASCATRON公司，致力于打造全球領先的“國家級戰(zhàn)略新興半導體研究院”。
該項目一期產業(yè)投資8億元，計劃3年內完成第三代半導體產業(yè)集群初步建設，完成深紫外LED生產線20條，6-8英寸碳化硅單晶生產、加工、碳化硅外延生產線各2條，氮化鎵中試線1條。一期完成后，將實現年產值20億元。項目二期投資51億元，完成第三代半導體產業(yè)基金的募集工作，并購瑞典ASCATRON(艾斯科強)公司，計劃2年內完成6-8英寸碳化硅單晶擴產、6-8英寸氮化鎵外延、射頻器件、功率器件生產線各1條。二期完成后，將實現年產值120億元。項目三期投資52億元，將ASCATRON公司后續(xù)芯片生產全部轉移至中國，項目建成后預期將帶動上下游產業(yè)近千億元產值。
徐州鑫晶半導體大硅片項目
據徐州日報報道，作為江蘇省級重大產業(yè)項目，徐州鑫晶半導體大硅片項目年內將全部竣工投產。
徐州鑫晶半導體大硅片項目總投資150億元，一期投資94.5億元，是協(xié)鑫集團在江蘇鑫華半導體項目投產之后，在徐州的又一布局。該大硅片項目規(guī)劃建設國際先進的8英寸、12英寸半導體大硅片長晶及切磨拋生產線，規(guī)劃產能各30萬片/月。2019年12月9日，徐州鑫晶半導體12英寸大硅片長晶產線試產成功。
靖江先鋒半導體
自2019年啟動新廠區(qū)建設后，目前靖江先鋒半導體科技有限公司基建工程主體已經完工，預計6月份投產。據靖江市科學技術協(xié)會消息，目前，該企業(yè)新研發(fā)的用于5納米芯片工藝的刻蝕機核心零部件已經研發(fā)成功，在新廠區(qū)投用后即將投入生產。
華為
4月8日晚，華為2020春季新品發(fā)布會正式發(fā)布65W GaN雙口超級快充充電器，支持Type-A和Type-C雙口充電，能給手機、平臺和PC充電。
關于華為GaN快充充電器的電源管理IC芯片，據《科創(chuàng)板日報》報道，有行業(yè)人士推測為華為所投的杰華特和海思共同開發(fā)的自研芯片。
但《科創(chuàng)板日報》記者分別從供應鏈和華為內部獲悉，這款充電器的主控功率IC芯片，實際由華為自研，而杰華特并沒有參與，并從供應鏈獲悉，華為充電器新品整體外包給住友電工，核心的GaN MOSFET由穩(wěn)懋半導體代工。
此外，據The Elec本周報道，華為公司今年將在韓國成立云計算和人工智能業(yè)務集團，以打入目前由英偉達主導的GPU服務器市場。
日月光
據電子時報報道，繼華為海思后，日月光投控進一步以2.5D/interposer技術為基礎的先進封測制程，拿下中興通訊自主開發(fā)5G基站芯片量產大單。
云塔科技
近日，安徽云塔電子科技有限公司聯(lián)合中國科學技術大學微電子學院，發(fā)布了其自主研制的5G毫米波濾波器。
云塔科技向集微網記者表示，目前在全球范圍內，工作在毫米波頻段的微型濾波器解決方案近乎空白。這是中國廠商首次在5G毫米波頻段研制成功該類微型化濾波器產品，尺寸僅為2.5×2.0mm。
瓴盛科技
集微網還從業(yè)內人士處獲悉得知，瓴盛科技即將推出第一款面向多領域的AIoT芯片產品，該款芯片一次性流片成功，預計將于今年下半年正式量產。
(原標題：一周動態(tài)：百億第三代半導體項目落地濟南，華為、長鑫、武漢新芯、瓴盛“芯”消息不斷)
