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【芯友薈】對(duì)話爍科晶體總經(jīng)理李斌，解鎖爍科晶體核心競爭力及大尺寸碳化硅襯底最新技術(shù)與產(chǎn)業(yè)發(fā)展思考！

高溫、高功率寬帶隙半導(dǎo)體要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶體生長過程。今天，SiC是通過氣相或液相法生長的，它包括下列過程：反應(yīng)物的生成、反應(yīng)物到生長表面的傳輸、生長表面的吸附、成核和最終晶體生長。GT Advanced Technologies首席技術(shù)官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅襯底技術(shù)的最新進(jìn)展》技術(shù)報(bào)告，報(bào)告中介紹了不同的SiC晶體生長過程以及SiC技術(shù)的最新進(jìn)展。