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  • 西安電子科技大學(xué)郝躍
    中國(guó)科學(xué)院院士、西安電子科技大學(xué)郝躍教授帶來(lái)了超寬禁帶半導(dǎo)體器件與材料的若干新進(jìn)展 的主題報(bào)告；中科院外籍院士、中國(guó)科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所王中林院士帶來(lái)了第三代半導(dǎo)體中的壓電電子學(xué)與壓電光電子學(xué)的主題報(bào)告；廈門(mén)大學(xué)校長(zhǎng)張榮教授介紹了氮化物半導(dǎo)體基 Micro-LED顯示技術(shù)新進(jìn)展；大會(huì)主席、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所李晉閩研究員帶來(lái)了氮化物深紫外LED光源助力公共衛(wèi)生安全 的主題報(bào)告。幾大精彩主題報(bào)告，從技
    292200
    guansheng2022-09-10 15:38
  • 中科院合肥物質(zhì)科學(xué)研
    一種基于寬禁帶半導(dǎo)體材料的微孔陣列同位素電池張佳辰，韓運(yùn)成*，王曉彧，何厚軍，任雷，李桃生中國(guó)科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)湖北科技學(xué)院
    54300
    guansheng2022-09-01 16:11
  • 中電科13所高楠：MOCV
    MOCVD生長(zhǎng)高質(zhì)量6英寸SiC上GaN HEMT材料高楠，房玉龍*，尹甲運(yùn)，張志榮，王波，李佳，蘆偉立，陳宏泰，牛晨亮中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所
    71700
    guansheng2022-09-01 13:45
  • 中科院寧波材料所郭煒
    基于極化調(diào)控的GaN HEMT隔離特性研究戴貽鈞，郭煒*，陳荔，李曉航，葉繼春中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所
    85500
    guansheng2022-09-01 12:27
  • 中科潞安總經(jīng)理閆建昌
    提升深紫外LED的效率：從材料到器件Improve the Efficiency of Deep Ultraviolet LEDs: from Materials to Devices閆建昌--山西中科潞安紫外光電科技有限公司總經(jīng)理、中科院半導(dǎo)體研究所研究員YANJianchang--General Manager of Advanced Ultraviolet Optoelectronics, Professor of Institute of Semiconductors, CAS
    46000
    limit2022-02-01 15:30
  • 徐科：氮化鎵單晶材料
    《氮化鎵單晶材料的 HVPE 法與液相法生長(zhǎng)研究》徐科 研究員 中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
    38300
    limit2022-01-11 09:59
  • 陸文強(qiáng)：一維ZnGa2O4
    《一維ZnGa2O4納米線網(wǎng)薄膜材料橫向制備及其光電響應(yīng)研究》作者：吳雨桐，張昆，馮雙龍，陸文強(qiáng)單位：中國(guó)科學(xué)院重慶綠色智能技術(shù)研究院
    4600
    limit2022-01-07 15:02
  • 張逸韻：高溫氣氛退火
    《高溫氣氛退火對(duì)體材料單晶氧化鎵晶體質(zhì)量的研究》作者：武松浩，張逸韻單位：北京理工大學(xué)，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
    9800
    limit2022-01-07 14:21
  • 朱志甫：10BN中子探測(cè)
    《10BN中子探測(cè)材料生長(zhǎng)與器件制備》作者：朱志甫，王少堂，鄒繼軍，甘勇，湯彬單位：鄭州工程技術(shù)學(xué)院，東華理工大學(xué)
    11000
    limit2022-01-07 14:20
  • 李忠輝：新型Al(Ga)N/
    《新型Al(Ga)N/GaN異質(zhì)結(jié)外延材料研究》作者：李忠輝，彭大青，張東國(guó)，李傳皓，楊乾坤，羅偉科，董遜，李亮單位：南京電子器件研究所，微波毫米波單片集成電路國(guó)家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
    21700
    limit2022-01-07 11:15
  • 蔡端?。簹湓貙?duì)深紫
    《氫元素對(duì)深紫外材料和器件的害處》作者：蔡端俊，盧詩(shī)強(qiáng)，鐘志白，郭斌，陳小紅，黃生榮，李書(shū)平，June Key Lee，康俊勇單位：廈門(mén)大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院
    32900
    limit2022-01-06 11:45
  • 閆建昌：AlGaN基紫外L
    《AlGaN基紫外LED材料和量子結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)研究進(jìn)展》作者：閆建昌，郭亞楠，劉志彬，王軍喜，李晉閩單位：中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
    33700
    limit2022-01-06 11:41
  • 張紀(jì)才：半極性AlN材
    《半極性AlN材料的HVPE生長(zhǎng)研究》作者：張紀(jì)才，孫茂松，李旭，劉婷單位：北京化工大學(xué)數(shù)理學(xué)院，廣西大學(xué)物理科學(xué)與工程技術(shù)學(xué)院
    21300
    limit2022-01-06 11:04
  • 王新強(qiáng)：二維材料上氮
    《二維材料上氮化物半導(dǎo)體準(zhǔn)范德華外延界面調(diào)控研究》作者：劉放，王濤，張智宏，申彤，楊懷遠(yuǎn)，盛博文，榮新，陳兆營(yíng)，劉開(kāi)輝，李新征，沈波，王新強(qiáng)單位：北京大學(xué)
    27700
    limit2022-01-06 10:48
  • 王?，|：金剛石材料制
    《金剛石材料制備加工和應(yīng)用研究》作者：王希瑋，彭燕，徐明升，胡小波，徐現(xiàn)剛單位：山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院
    12300
    limit2022-01-06 10:23
  • 王蓉：半導(dǎo)體碳化硅材
    《半導(dǎo)體碳化硅材料中位錯(cuò)的基本性質(zhì)研究》作者王蓉，李佳君，羅昊，楊德仁，皮孝東單位：浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心，浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室和材料科學(xué)與工程學(xué)院
    12000
    limit2022-01-06 10:21
  • 李萬(wàn)俊：超寬帶隙氧化
    《超寬帶隙氧化鎵材料及其日盲深紫外探測(cè)器研究》作者：李萬(wàn)俊，劉浩文，周樹(shù)仁，黃利娟，胡鄭蕊，張紅，熊元強(qiáng)，李泓霖，葉利娟單位：重慶師范大學(xué)物理與電子工程學(xué)院，光電功能材料重慶市重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
    22000
    limit2022-01-06 10:08
  • 歐欣：異質(zhì)集成氧化鎵
    《異質(zhì)集成氧化鎵材料與器件》作者：徐文慧，王軼博，游天桂，胡浩東，韓根全，歐欣單位：中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所，西安電子科技大學(xué)
    18100
    limit2022-01-05 17:43
  • 方志來(lái)：P型氮摻雜β-
    《P型氮摻雜-氧化鎵材料與器件初探》作者：方志來(lái)單位：復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院，復(fù)旦大學(xué)光電研究院，工程與應(yīng)用技術(shù)研究院
    30100
    limit2022-01-05 17:41
  • 馬騁：硅基氮化鎵外延
    《硅基氮化鎵外延材料射頻損耗產(chǎn)生機(jī)理及其抑制方法》作者：馬騁，楊學(xué)林，劉丹爍，蔡子?xùn)|，陳正昊，沈波單位：北京大學(xué)物理學(xué)院人工微結(jié)構(gòu)與介觀物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
    25600
    limit2022-01-05 16:53
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