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最新高性能SiC MOSFET技術助力未來SiC市場的發(fā)展趨勢The Latest High Performance SiC MOSFET Technology Trend for Future SiC Market Development濱田公守日本華為股份有限公司高級首席專家Kimimori HAMADASenior Chief Expert Huawei Technologies Japan

高性能SiC解決方案賦能新一代主驅應用朱曉慧杭州士蘭微電子股份有限公司功率系統(tǒng)應用技術高級經理

基于液態(tài)金屬打印和飛秒激光照射的高性能原子薄Ga2O3氣體傳感器High-Performance atomically thin Ga2O3Gas Sensors via Liquid Metal Printing and Femtosecond Laser Irradiation徐承龍皇家墨爾本大學微納研究院研究員XU ChenglongProfessor of Micro Nano Research Facility, STEM College, RMIT University

電流/功率截止頻率為135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTsHigh-Performance InAlN/GaN HEMTs on Silicon Substrate with fT/fmax of 135/310 GHz 崔鵬山東大學新一代半導體材料研究院研究員CUIPengResearch Fellow of the Institute of Novel Semiconductor of Shandong University

AECQ-101車規(guī)級認證的高性能1200V SiC MOS器件史文華清純半導體研發(fā)經理SHI Wenhua RD Manager of SiCHAIN Co.,Ltd.

面向功率器件的高性能AlN陶瓷基板High Performance AlN Ceramic Substrate for Power Devices梁超江蘇博睿光電股份有限公司副總經理LIANG ChaoDeputy General Manager of Jiangsu Bree Optronics Co., Ltd

高性能GaN-on-GaN材料與器件的外延生長High output power and bandwidth of c-plane GaN-on-GaN micro-LED for high-speed visible light communication王國斌江蘇第三代半導體研究院研發(fā)部負責人WANG GuobinSenior Project ManagerHead of RD Dept of Jiangsu Institute of Advanced Semiconductors

深圳基本半導體有限公司副總經理張振中介紹了《高性能 3D SiC JBS 二極管》主題報告；張振中對各種類型的碳化硅器件，包括高壓PiN二極管、高溫JBS二極管、SBD管、平面及溝槽型MOSFET、JFET、BJT、UV二極管、MESFET都有從版圖設計引入到量產工藝開發(fā)直到后期失效分析及良率提升等一系列的工藝技術IP和產業(yè)化經驗。