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許福軍、沈波團隊成功實現(xiàn)垂直注入AlGaN基深紫外發(fā)光器件的晶圓級制備

GaN+SiC！納微全球首發(fā)8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源

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中科院微電子所在GaN器件研究方面取得重要進展

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中科大孫海定iGaN實驗室研究三維垂直集成microLED陣列實現(xiàn)無掩膜深紫外光刻新技術(shù)

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法國GaN企業(yè)獲應(yīng)用材料、臺灣工研院投資

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又一 GaN 企業(yè)宣告破產(chǎn)！

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標(biāo)準(zhǔn) | 2項GaN HEMT動態(tài)導(dǎo)通電阻測試標(biāo)準(zhǔn)形成委員會草案

全球SiC和GaN功率半導(dǎo)體市場2034年將增至110.8億美元

萬年晶GaN項目已投產(chǎn)

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西安電子科技大學(xué)GaN-on-Si/SOI 外延片采購公開招標(biāo)公告

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