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長(zhǎng)光華芯“半導(dǎo)體光子晶體發(fā)光結(jié)構(gòu)及其制備方法”專(zhuān)利公布

蘇州長(zhǎng)光華芯取得模式調(diào)控半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)及其制備方法專(zhuān)利

長(zhǎng)光華芯“一種釋放氧化應(yīng)力的VCSEL芯片及其制備方法”專(zhuān)利獲授權(quán)

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長(zhǎng)光華芯化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目正式封頂

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長(zhǎng)光華芯獲華為哈勃投資，或進(jìn)入華為激光雷達(dá)產(chǎn)業(yè)鏈

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