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IFWS 2023│中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所司志偉：助熔劑法生長(zhǎng)GaN單晶襯底的研究進(jìn)展

蘇州納米所在新型氮化鎵基光電器件領(lǐng)域取得進(jìn)展

至純科技：濕法清洗設(shè)備已在14及7納米制程實(shí)現(xiàn)交付

英特爾推出1.8納米制程半導(dǎo)體產(chǎn)品

傳臺(tái)積電高雄廠切入2納米制程以應(yīng)對(duì)AI浪潮

上海微系統(tǒng)所成功實(shí)現(xiàn)六方氮化硼納米帶的帶隙調(diào)控

外媒：臺(tái)積電3納米良率僅為55% 蘋果將只付可用晶片費(fèi)

CASICON西安站前瞻|西安交通大學(xué)張啟凡：基于大面積自組裝hBN納米片薄膜的超低暗電流深紫外光電探測(cè)器

臺(tái)積電介紹N3P制程2024年量產(chǎn)，2納米2025年量產(chǎn)

中國(guó)電科實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)離子注入機(jī)28納米工藝制程全覆蓋

又一突破！電科裝備已實(shí)現(xiàn)離子注入裝備28納米工藝制程全覆蓋

臺(tái)積2納米試產(chǎn) 有動(dòng)作了

中科院北京納米能源與系統(tǒng)研究所所長(zhǎng)、歐洲科學(xué)院院士王中林：第三代半導(dǎo)體的壓電電子學(xué)與壓電光電子學(xué)最新進(jìn)展

南科大化夢(mèng)媛團(tuán)隊(duì)揭示與氮化鎵晶格匹配的GaON納米層的形成機(jī)理及應(yīng)用

國(guó)內(nèi)首款7納米車規(guī)級(jí)SoC芯片“龍鷹一號(hào)”正式量產(chǎn)

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院研究團(tuán)隊(duì)揭示鉿基鐵電納米器件機(jī)理

臺(tái)媒：蘋果自研5G基帶芯片將采用臺(tái)積電3納米制程

南科大電子系化夢(mèng)媛團(tuán)隊(duì)揭示與氮化鎵晶格匹配的GaON納米層的形成機(jī)理及應(yīng)用

簡(jiǎn)述氮化鎵晶格排列氧化氮化鎵納米層的形成及其在電子器件中的應(yīng)用

蘇州納米所孫錢團(tuán)隊(duì)研制出國(guó)際首支1200V的硅襯底GaN基縱向功率器件

三星：3納米制程代工市場(chǎng)2026年將達(dá)242億美元規(guī)模

日本半導(dǎo)體公司推進(jìn)2納米半導(dǎo)體生產(chǎn)

日本半導(dǎo)體公司Rapidus推進(jìn)2納米半導(dǎo)體生產(chǎn)

安泰科技超薄納米晶材料進(jìn)軍第三代半導(dǎo)體行業(yè)

長(zhǎng)光華芯聯(lián)合中科院蘇州納米所共建“氮化鎵激光器聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”

蘇州半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院、中科院蘇州納米所“氮化鎵激光器聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”揭牌成立

半導(dǎo)體納米新材料技術(shù)服務(wù)商撲浪量子獲東方嘉富領(lǐng)投Pre-A輪投資

晶圓代工大廠公布五年發(fā)展規(guī)劃，1.4納米芯片量產(chǎn)時(shí)間敲定

蘇州納米所梁偉等在高重復(fù)頻率窄線寬外腔激光器領(lǐng)域取得進(jìn)展

關(guān)于第十三屆中國(guó)國(guó)際納米技術(shù)產(chǎn)業(yè)博覽會(huì) 延期舉辦的通知

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