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中微公司陳丹瑩：PRISMO PDS8–用于SiC功率器件外延生長的CVD設備 |?IFWS&SSLCHINA2024

北京大學沈波教授：基于大失配外延的氮化物第三代半導體材料與器件——IFWS&SSLCHINA2024

晶盛機電：8英寸碳化硅外延設備和光學量測設備順利實現(xiàn)銷售，12英寸三軸減薄拋光機拓展至國內(nèi)頭部封裝客戶

【IFWS2024】碳化硅襯底、外延生長及其相關設備技術分會日程公布

IFWS2024：氮化物襯底、外延生長及其相關設備技術分會日程出爐

富加鎵業(yè)氧化鎵外延片完成MOSFET橫向功率器件驗證

晶盛機電8英寸碳化硅外延設備和光學量測設備順利實現(xiàn)銷售

芯聯(lián)集成“外延設備”專利獲授權(quán)

長宇科技取得一項外延生長基盤用高均質(zhì)性特種石墨材料的制備方法專利，能夠保持產(chǎn)品制備的穩(wěn)定性

廣東中科半導體微納制造技術研究院外延平臺高純液氨采購項目(二次)招標公告

富加鎵業(yè)年產(chǎn)10000片6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線開工

國創(chuàng)中心聯(lián)合研發(fā)中心逐步發(fā)力，“超高性能同質(zhì)外延Micro-LED”取得新突破

中國電科48所8英寸碳化硅外延設備獲升級

西安奕斯偉材料申請用于外延設備的處理方法專利

瀚天天成“一種降低碳化硅外延片生長缺陷的方法及碳化硅襯底”專利獲授權(quán)

晶盛機電：12英寸硅減壓外延生長設備順利實現(xiàn)銷售出貨，ALD設備處于驗證階段

蘇州晶湛半導體取得半導體結(jié)構(gòu)及其形成方法專利，提高半導體外延層的性能

普興電子6英寸低密度缺陷碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化項目環(huán)評第二次公示

天域半導體碳化硅外延項目即將試產(chǎn)

北京理工大學團隊在雜化范德華外延生長研究方向取得重要突破

晶鉆科技同質(zhì)外延單晶金剛石新突破

華羿微電申請高性能 MOSFET 功率器件外延設計結(jié)構(gòu)專利，降低功率器件制造成本

8英寸碳化硅垂直腔外延設備為什么這么熱？

寧波晶鉆同質(zhì)外延單晶金剛石再次突破3.35英寸

香港首個第三代半導體氮化鎵外延工藝研發(fā)中心將成立

西安電子科技大學GaN-on-Si/SOI外延片采購公開招標公告二次

西安電子科技大學GaN-on-Si/SOI 外延片采購公開招標公告

科大立安中標安意法半導體8英寸碳化硅外延、芯片項目

CASICON晶體大會前瞻|才道精密儀器馬觀嵐：SiC/GaN襯底和外延片檢測設備國產(chǎn)化

CASICON晶體大會前瞻|中國電子科技集團第五十五研究所李赟：碳化硅外延如何協(xié)同器件發(fā)展

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