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中微公司陳丹瑩：PRISMO PDS8–用于SiC功率器件外延生長的CVD設(shè)備 |?IFWS&SSLCHINA2024

北京大學(xué)沈波教授：基于大失配外延的氮化物第三代半導(dǎo)體材料與器件——IFWS&SSLCHINA2024

晶盛機(jī)電：8英寸碳化硅外延設(shè)備和光學(xué)量測設(shè)備順利實(shí)現(xiàn)銷售，12英寸三軸減薄拋光機(jī)拓展至國內(nèi)頭部封裝客戶

【IFWS2024】碳化硅襯底、外延生長及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)分會(huì)日程公布

IFWS2024：氮化物襯底、外延生長及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)分會(huì)日程出爐

富加鎵業(yè)氧化鎵外延片完成MOSFET橫向功率器件驗(yàn)證

晶盛機(jī)電8英寸碳化硅外延設(shè)備和光學(xué)量測設(shè)備順利實(shí)現(xiàn)銷售

芯聯(lián)集成“外延設(shè)備”專利獲授權(quán)

長宇科技取得一項(xiàng)外延生長基盤用高均質(zhì)性特種石墨材料的制備方法專利，能夠保持產(chǎn)品制備的穩(wěn)定性

廣東中科半導(dǎo)體微納制造技術(shù)研究院外延平臺(tái)高純液氨采購項(xiàng)目(二次)招標(biāo)公告

富加鎵業(yè)年產(chǎn)10000片6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線開工

國創(chuàng)中心聯(lián)合研發(fā)中心逐步發(fā)力，“超高性能同質(zhì)外延Micro-LED”取得新突破

中國電科48所8英寸碳化硅外延設(shè)備獲升級

西安奕斯偉材料申請用于外延設(shè)備的處理方法專利

瀚天天成“一種降低碳化硅外延片生長缺陷的方法及碳化硅襯底”專利獲授權(quán)

晶盛機(jī)電：12英寸硅減壓外延生長設(shè)備順利實(shí)現(xiàn)銷售出貨，ALD設(shè)備處于驗(yàn)證階段

蘇州晶湛半導(dǎo)體取得半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法專利，提高半導(dǎo)體外延層的性能

普興電子6英寸低密度缺陷碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目環(huán)評第二次公示

天域半導(dǎo)體碳化硅外延項(xiàng)目即將試產(chǎn)

北京理工大學(xué)團(tuán)隊(duì)在雜化范德華外延生長研究方向取得重要突破

晶鉆科技同質(zhì)外延單晶金剛石新突破

華羿微電申請高性能 MOSFET 功率器件外延設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)專利，降低功率器件制造成本

8英寸碳化硅垂直腔外延設(shè)備為什么這么熱？

寧波晶鉆同質(zhì)外延單晶金剛石再次突破3.35英寸

香港首個(gè)第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延工藝研發(fā)中心將成立

西安電子科技大學(xué)GaN-on-Si/SOI外延片采購公開招標(biāo)公告二次

西安電子科技大學(xué)GaN-on-Si/SOI 外延片采購公開招標(biāo)公告

科大立安中標(biāo)安意法半導(dǎo)體8英寸碳化硅外延、芯片項(xiàng)目

CASICON晶體大會(huì)前瞻|才道精密儀器馬觀嵐：SiC/GaN襯底和外延片檢測設(shè)備國產(chǎn)化

CASICON晶體大會(huì)前瞻|中國電子科技集團(tuán)第五十五研究所李赟：碳化硅外延如何協(xié)同器件發(fā)展

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