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基本半導(dǎo)體與羅姆簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議就碳化硅功率器件的創(chuàng)新升級(jí)、性能提升等方面展開(kāi)深度合作

東南大學(xué)牽頭起草的《分立GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)電阻評(píng)估》技術(shù)報(bào)告已形成委員會(huì)草案

復(fù)旦大學(xué)牽頭起草的《SiC MOSFET功率器件的應(yīng)用可靠性評(píng)價(jià)技術(shù)體系報(bào)告》征求意見(jiàn)

干貨| 第三代半導(dǎo)體功率器件及封測(cè)技術(shù)峰會(huì)在深圳成功召開(kāi)

簡(jiǎn)述SiC功率器件的新發(fā)展和挑戰(zhàn)

宏光半導(dǎo)體氮化鎵功率器件外延片產(chǎn)品正式投產(chǎn)

日程出爐！第三代半導(dǎo)體功率器件及封測(cè)技術(shù)峰會(huì)將于11月6日在深圳召開(kāi)

士蘭微：士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線(xiàn)已實(shí)現(xiàn)初步通線(xiàn)，首個(gè)SiC器件芯片已投片成功

東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)電阻評(píng)估》技術(shù)報(bào)告征求意見(jiàn)

簡(jiǎn)述碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)

中車(chē)電氣時(shí)代中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目落地株洲

東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)電阻評(píng)估》技術(shù)報(bào)告征求意見(jiàn)

時(shí)代電氣：中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體擬投111.19億元建中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目

全國(guó)首個(gè)企業(yè)級(jí)第三代半導(dǎo)體功率器件測(cè)試服務(wù)實(shí)驗(yàn)室啟動(dòng)

111億元！中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體擬投資中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目

復(fù)旦大學(xué)功率器件分析儀采購(gòu)公開(kāi)招標(biāo)公告

東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動(dòng)態(tài)電阻評(píng)估》技術(shù)報(bào)告征求意見(jiàn)

碳化硅功率器件需求急增

國(guó)星光電：公司已建立三代半功率器件試產(chǎn)線(xiàn)，小批量產(chǎn)！

廣西科文招標(biāo)有限公司有壓功率器件互連燒結(jié)系統(tǒng)采購(gòu)（GXZC2022-J1-002840-KWZB）競(jìng)爭(zhēng)性談判公告

汽車(chē)功率器件的熱管理探討

第三代半導(dǎo)體功率器件及封測(cè)技術(shù)峰會(huì)將于11月6日在深圳召開(kāi)

西安電子科技大學(xué)功率器件特性分析儀采購(gòu)(XDH22055D)公開(kāi)招標(biāo)公告

碳化硅功率器件在車(chē)載充電機(jī) OBC中的應(yīng)用簡(jiǎn)述

臺(tái)亞積極布局第三代半導(dǎo)體，主攻以氮化鎵為基礎(chǔ)功率器件

麗水東旭高端光電半導(dǎo)體材料項(xiàng)目奠基，投資110億元聚焦集成電路材料及功率器件

國(guó)星光電SiC功率器件、GaN-DFN器件已小批量接單，正配合客戶(hù)送樣測(cè)試

碳化硅功率器件頭部企業(yè)基本半導(dǎo)體宣布完成C2輪融資

華微電子：深耕新型功率器件、模塊、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品

振華科技將建6英寸硅基/碳化硅基功率器件制造線(xiàn)

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