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代爾夫特理工大學(xué)研究團(tuán)隊開發(fā)無定形碳化硅，可用于微芯片領(lǐng)域

上海硅酸鹽所碳化硅陶瓷增材制造研究獲進(jìn)展

上海硅酸鹽所在碳化硅陶瓷增材制造研究方面取得新進(jìn)展

山東大學(xué)與南砂晶圓團(tuán)隊在8英寸SiC襯底位錯缺陷控制方面取得重大突破

王新強(qiáng)、李新征及合作者確定石墨烯上氮化物半導(dǎo)體單晶材料外延范式

山東大學(xué)陶緒堂教授團(tuán)隊研發(fā)超高光產(chǎn)額、超快衰減、低成本大尺寸單晶閃爍體

新突破！4英寸鑄造法氧化鎵單晶研制獲得成功

我國成功研制新型光學(xué)晶體可滿足半導(dǎo)體晶圓檢測等領(lǐng)域重大需求

上海微系統(tǒng)所成功實(shí)現(xiàn)六方氮化硼納米帶的帶隙調(diào)控

中國科大在二維鐵電Rashba半導(dǎo)體材料中取得新進(jìn)展

中國科大在二維鐵電Rashba半導(dǎo)體材料中取得新進(jìn)展

京都大學(xué)研究組開發(fā)出新型功率半導(dǎo)體材料“金紅石型GeO2基半導(dǎo)體”

銀河證券：看好半導(dǎo)體設(shè)備材料

河南省加快材料產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢再造換道領(lǐng)跑行動計劃（2022—2025年）發(fā)布將培育半導(dǎo)體材料等40條先進(jìn)材料重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)鏈

寧波材料所在低成本鈣鈦礦太陽能電池空穴傳輸材料方面取得研究進(jìn)展

中國科學(xué)院物理研究所張廣宇課題組實(shí)現(xiàn)4英寸晶圓尺度均勻多層二硫化鉬連續(xù)薄膜可控逐層外延生長

鄭州發(fā)布支持政策 2025年全市新材料產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值突破1000億元

中科院化學(xué)研究所發(fā)現(xiàn)碳家族單晶新材料

北方華創(chuàng)：碳化硅長晶設(shè)備訂單飽滿，預(yù)計今年出貨將超500臺

中國科大?InGaAs單光子探測芯片設(shè)計制造領(lǐng)域重要進(jìn)展

IGBT 功率模塊熱管理研究簡述

日本研究人員開發(fā)出一種納米纖維素紙半導(dǎo)體具有廣泛可調(diào)性

日本研究人員開發(fā)出一種納米纖維素紙半導(dǎo)體

900件功率半導(dǎo)體模塊的覆銅陶瓷基板正在交付

應(yīng)用材料推出CVD升級技術(shù) 以支持GAA晶體管結(jié)構(gòu)

電裝SiC功率半導(dǎo)體的誕生之路和未來的可能性

“芯”突破河大突破這類電子芯片“卡脖子”材料難題

中國人大陳珊珊教授團(tuán)隊在寬帶隙超薄二維氮化鎵的可控制備方面獲新進(jìn)展

晶體材料實(shí)驗(yàn)室陶緒堂教授團(tuán)隊在鹵化物鈣鈦礦單晶生長及應(yīng)用方面取得系列新成果

上海硅酸鹽所在自發(fā)凝固成型制備大尺寸/復(fù)雜形狀高純氧化鋁部件方面取得新進(jìn)展

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