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西電郝躍院士、西安交大周磊簜團隊與晟光硅研楊森協(xié)同攻關(guān)丨低溫超臨界流體處理在退化β相氧化鎵基二極管中恢復(fù)與增強電學(xué)性能的應(yīng)用

新突破│鎵仁半導(dǎo)體首發(fā)VB法生長最厚6英寸（010）面氧化鎵晶體

西電郝躍院士團隊張進成教授、周弘教授取得百安千伏級高壓氧化鎵功率器件研究突破

西電郝躍院士團隊張進成教授、寧靜教授在金剛石基氧化鎵熱管理領(lǐng)域取得突破性進展

新突破︱鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法100毫米(010)面氧化鎵單晶襯底

新突破|鎵仁半導(dǎo)體實現(xiàn)VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜

鎵仁半導(dǎo)體氧化鎵單晶生長突破性成果在晶體領(lǐng)域頂刊Crystal Growth & Design上發(fā)表

國際上首次！基于晶圓級高導(dǎo)熱異質(zhì)集成襯底實現(xiàn)已報道的最高截止頻率氧化鎵射頻器件

新突破！4英寸鑄造法氧化鎵單晶研制獲得成功

上海硅酸鹽所在自發(fā)凝固成型制備大尺寸/復(fù)雜形狀高純氧化鋁部件方面取得新進展

鄭州大學(xué)物理學(xué)院在氧化鎵基日盲光電探測方面取得進展

日本Novel Crystal宣布量產(chǎn)4英寸氧化鎵(Ga2O3) 晶圓

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