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中科院金屬所發(fā)明一種光控二極管

簡述汽車芯片

25 kW SiC直流快充設(shè)計(jì)指南(第四部分)：DC-DC級的設(shè)計(jì)考慮因素和仿真

SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性及1 200V 產(chǎn)品參數(shù)分散性對并聯(lián)均流的影響

解析射頻微波電感器件之選用玻璃陶瓷基板

半導(dǎo)體材料的點(diǎn)空位缺陷工程用于環(huán)境修復(fù)以及可持續(xù)能源生產(chǎn)

南京大學(xué)、東南大學(xué)在雙層二維半導(dǎo)體外延生長核心技術(shù)取得新突破

中科院物理所在光致VO2非易失相變及智能光電傳感應(yīng)用方面取得新進(jìn)展

又2項(xiàng)，華為再公開芯片相關(guān)專利

第四代半導(dǎo)體氧化鎵，浙大杭州科創(chuàng)中心新技術(shù)路線制備 2 英寸晶圓

設(shè)計(jì)基于SiC的電動汽車直流快速充電機(jī)

中科院成功制備8英寸碳化硅晶體

南京大學(xué)等突破雙層二維半導(dǎo)體外延生長核心技術(shù)

固體所在二維材料光電探測器研究方面取得新進(jìn)展

國際首創(chuàng)！浙大杭州科創(chuàng)中心首次采用新技術(shù)路線成功制備2英寸氧化鎵晶圓

SiC功率模塊封裝技術(shù)及展望

上海光機(jī)所疫情期間封閉攻關(guān) 突破多項(xiàng)“卡脖子”技術(shù)

中國科大成功融合遠(yuǎn)距離量子密鑰分發(fā)和光纖振動傳感

中國科大實(shí)現(xiàn)硅基量子芯片中自旋軌道耦合強(qiáng)度的高效調(diào)控

清華團(tuán)隊(duì)闡釋層狀半導(dǎo)體芯片新材料的橫向結(jié)電子器件應(yīng)用

山海半導(dǎo)體推出國際先進(jìn)水平32位超高分辨率ADC

牛津大學(xué)研發(fā)出特殊藍(lán)寶石光纖傳感器，破解了長達(dá)20年的技術(shù)瓶頸

應(yīng)用在智能照明領(lǐng)域的環(huán)境光傳感芯片

中科院物理所在8英寸碳化硅單晶研究取得新進(jìn)展

金剛石MOSFET器件最新成果！在(111)金剛石襯底上成功制備高性能C-Si MOSFET器件

南科大深港微電子學(xué)院在寬禁帶半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得系列研究進(jìn)展

蘇州大學(xué)揭建勝教授團(tuán)隊(duì)提出有機(jī)半導(dǎo)體單晶薄膜制備新方法，遷移率變異系數(shù)僅9.8%

總投資近3000億？傳世界先進(jìn)擬建首座12英寸

南科大深港微電子學(xué)院在寬禁帶半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得系列研究進(jìn)展

能效有望突破1000倍，華中科大科研團(tuán)隊(duì)新型存儲芯片取得重大進(jìn)展

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