半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉，工研院日前宣布，一方面與晶圓制造龍頭臺(tái)積電合作開發(fā)世界前瞻的自旋軌道扭矩磁性存儲(chǔ)器（Spin Orbit Torque Magnetoresistive Random Access Memory，SOT-MRAM）陣列芯片，另一方面攜手陽(yáng)明交大研發(fā)出工作溫度橫跨近400度的新興磁性存儲(chǔ)器技術(shù)。

 

工研院表示，這項(xiàng)新興磁性存儲(chǔ)器技術(shù)，已在全球半導(dǎo)體領(lǐng)域頂尖“超大型積體技術(shù)及電路國(guó)際會(huì)議”（Symposiumon VLSI Technology and Circuits）發(fā)表相關(guān)論文，可望加速產(chǎn)業(yè)躋身下一代存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)先群。

 

制程微縮是在半導(dǎo)體先進(jìn)制程的重要趨勢(shì)，其中磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）具有可微縮至22納米以下的潛力，并擁有高讀寫速度、低耗電，斷電后仍可保持資料特性，特別適用于嵌入式存儲(chǔ)器的新興領(lǐng)域。

 

工研院電子與光電系統(tǒng)所所長(zhǎng)張世杰表示，MRAM有媲美靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Static Random Access Memory；SRAM）的寫入、讀取速度，兼具快閃存儲(chǔ)器非揮發(fā)性，近年來(lái)已成為半導(dǎo)體先進(jìn)制程、下一代存儲(chǔ)器與運(yùn)算的新星。

 

張世杰指出，存儲(chǔ)器若在高寫入速度的前提下，使用的電壓電流越小，代表效率越高，工研院攜手臺(tái)積電共同發(fā)表具備高寫入效率與低寫入電壓SOT-MRAM技術(shù)，并達(dá)成0.4納秒高速寫入、7兆次讀寫的高耐受度。

 

張世杰分享，這比歐洲最大的半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)比利時(shí)微電子研究中心（Interuniversity Microelectronics Centre，imec）多100倍，還有超過10年資料儲(chǔ)存能力等特性，未來(lái)可整合成先進(jìn)制程嵌入式存儲(chǔ)器，應(yīng)用在AI人工智能、車用電子、高效能運(yùn)算芯片等領(lǐng)域具有極佳的前景。

 

另一方面，工研院與陽(yáng)明交大今年也在VLSI共同發(fā)表新興磁性存儲(chǔ)器的高效能運(yùn)作技術(shù)，優(yōu)化自旋轉(zhuǎn)移矩磁性存儲(chǔ)器（Spin-Transfer-Torque MRAM，STT-MRAM）的多層膜與元件，提高寫入速度、縮短延遲、降低寫入電流與增高使用次數(shù)等特色。