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電力電子中 IGBT 散熱器選型應(yīng)用

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國際首臺基于自主6.5kV/400A SiC MOSFET模塊的35kV/5MW電力電子變壓器順利通過全部型式試驗

基于原子層沉積技術(shù)的具有常溫相變能力的鎢摻雜二氧化釩兼容于8寸晶圓及PI薄膜

簡述使用不同類型GaN FET 設(shè)計提高系統(tǒng)設(shè)計功率密度

碳化硅單晶襯底加工技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢綜述

金剛石在器件散熱應(yīng)用中的研究動態(tài)幾則

中國科大在高性能金剛石量子器件制備上取得重要進(jìn)展

保護(hù)IGBT和MOSFET免受ESD損壞

東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告征求意見

山東大學(xué)成功研制高質(zhì)量4英寸氧化鎵晶體

自舉電路工作原理和自舉電阻和電容的選取

合肥工業(yè)大學(xué)在可重定義微波無源器件研究領(lǐng)域取得新進(jìn)展

韓科研團(tuán)隊研發(fā)新一代半導(dǎo)體氣敏傳感器

深圳大學(xué)劉新科研究員團(tuán)隊研發(fā)出自支撐GaN襯底上的高性能常關(guān)型PGaN柵極HEMT

山東大學(xué)與南砂晶圓團(tuán)隊實現(xiàn)了高質(zhì)量8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶和襯底制備

解析電子封裝陶瓷基板

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一文了解金剛石半導(dǎo)體

南京大學(xué)科研團(tuán)隊在下一代光電芯片制造領(lǐng)域獲重大突破！

技術(shù)分享：基于氮化鎵單晶襯底的增強(qiáng)型氮化鎵HEMTs

簡述晶圓級多層堆疊封裝技術(shù)

研究人員利用氮化鎵開發(fā)新型電子設(shè)備

蘇州納米所器件部樊士釗等JAP：利用電子通道襯度成像方法分析氮化鎵異質(zhì)結(jié)中的穿透位錯和失配位錯

南京大學(xué)余林蔚教授課題組實現(xiàn)面向GAA-FET的10 nm特征尺寸超細(xì)晶硅納米線可靠生長集成

面向可重構(gòu)整流電路的互補(bǔ)型柵控PN結(jié)電路研究

簡述晶圓級多層堆疊技術(shù)

高導(dǎo)熱金剛石/銅復(fù)合材料的制備與界面調(diào)控研究進(jìn)展

金剛石在GaN功率放大器熱設(shè)計中的應(yīng)用

一文讀懂氧化鎵半導(dǎo)體

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