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半導體所在植入式腦機接口器件研究方面取得新進展

科研成果| p-GaN柵HEMT器件在負柵壓阻斷態(tài)下的重離子輻照可靠性實驗研究

中國科學院寧波材料技術與工程研究所郭煒研究員在GaN HEMT器件研究中取得新進展

國家工程研究中心最新突破：磁控濺射AlN覆蓋層提升p-GaN HEMT器件性能

廈門大學-廈門市未來顯示技術研究院團隊在鈣鈦礦窄帶光電探測器研究中取得重要突破

中國科學技術大學在日盲紫外光電探測器研究中取得新進展

中科大微電子學院在GaN器件輻照效應研究方向取得重要進展

西安電子科技大學郝躍院士團隊常晶晶教授等人在Nano-Micro Lett.發(fā)表最新研究成果

重磅發(fā)布｜九峰山實驗室GaN系列成果首次發(fā)布！

中國科學院聯(lián)合納米器件研究部在日盲紫外探測領域取得新進展

蘭州大學研究團隊在日盲光電探測器件方面突破“RS困境” 實現(xiàn)高性能光電探測

浙江大學柯徐剛研究員團隊發(fā)布應用于大功率AI數(shù)據(jù)中心的第三代半導體氮化鎵高效率智能供電芯片

中國科學院微電子所在Chiplet熱仿真工具研究方面取得新進展

中國科大楊樹教授和龍世兵教授課題組在垂直型GaN功率晶體管研究方向取得重要進展

香港科技大學陳敬教授課題組發(fā)布多項氮化鎵、碳化硅的最新研究進展

武漢大學聯(lián)合中科大iGaN實驗室與工信部電子五所在GaN基HEMTs的溝道溫度監(jiān)測研究領域取得新進展

北大楊學林、沈波團隊在氮化鎵外延材料中位錯的原子級攀移動力學研究上取得重要進展

電子科技大學朱慧慧、劉奧教授在Nature Protocols上發(fā)表新型半導體薄膜電子器件研究成果

南科大深港微電子學院于洪宇、王中銳、汪青研究團隊在LiNbO3壓電聲表面波相移器領域取得新進展

西安電子科技大學蘇杰副教授以共同第一作者在Science發(fā)表研究成果

南京郵電大學研究團隊在用于低功率光通信的GaN/CuI異質(zhì)結構紫外光伏探測器取得進展

中南鉆石聯(lián)合中國電科第十三研究所在金剛石NV色心領域取得重要進展

北京大學團隊在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進展

南科大李攜曦課題組發(fā)表金剛石薄膜制備和應用領域研究成果

北大集成電路學院研究團隊在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進展

王新強、王濤團隊在褶皺二維氮化鎵聲子研究中取得重要進展

西湖大學工學院仇旻團隊研究進展 | 4H-SiC超透鏡：抑制高功率激光輻照的熱漂移效應

深圳平湖實驗室在氧化鎵理論研究方面取得重要進展

廈門大學與三安光電關于大功率激光器壽命研究取得新進展

李梓維教授團隊MicroLED全彩色微顯示技術研究進展

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