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上海光機(jī)所硼摻雜金剛石研究獲新進(jìn)展

上海光機(jī)所在硼硅、硼鎢共摻金剛石的制備與性能研究方面取得新進(jìn)展

中科院半導(dǎo)體所在高速光通信光頻梳研究方面取得新進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所在高速直調(diào)半導(dǎo)體激光器研究方面取得新進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所在基于伊辛智能計(jì)算的光子集成電路快速重構(gòu)研究方面取得新進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所鄭婉華院士團(tuán)隊(duì)自組織拓?fù)浼す馄餮邪l(fā)取得新進(jìn)展

南科大深港微電子學(xué)院高源團(tuán)隊(duì)在高性能電源管理芯片領(lǐng)域取得重要研究成果

復(fù)旦田朋飛課題組綠光micro-LED研究進(jìn)展?：?2GHz帶寬下實(shí)現(xiàn)9Gbps通信速率

廈門大學(xué)&廈門市未來(lái)顯示技術(shù)研究院團(tuán)隊(duì)基于氮化物表面電子態(tài)演化開發(fā)出Micro LED側(cè)壁鈍化新方法

中國(guó)科學(xué)院微電子所在芯粒集成電遷移EDA工具研究方向取得重要進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院氮化鎵基無(wú)源太赫茲相控陣機(jī)制研究獲進(jìn)展

科研成果 | 唐寧、沈波團(tuán)隊(duì)與合作者利用深紫外光譜在原子級(jí)薄超寬禁帶半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)研究方面取得重要進(jìn)展

蘇州納米所秦華團(tuán)隊(duì)在氮化鎵基無(wú)源太赫茲相控陣機(jī)制研究方面取得進(jìn)展

氮化鎵外延層中位錯(cuò)輔助的電子和空穴傳輸研究取得進(jìn)展

長(zhǎng)春光機(jī)所聯(lián)合東方理工大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)在寬禁帶氮化物載流子動(dòng)力學(xué)研究方面取得重要進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院微電子研究所在EUV光刻收集鏡紅外輻射抑制方面取得新進(jìn)展

北京大學(xué)王新強(qiáng)、王平、王濤團(tuán)隊(duì)在纖鋅礦氮化物鐵電半導(dǎo)體研究上取得重要進(jìn)展

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所在低維半導(dǎo)體偏振光探測(cè)方面取得系列進(jìn)展

中國(guó)科大微電子學(xué)院胡詣?wù)芙淌谡n題組在極低抖動(dòng)高速鎖相環(huán)芯片研究中取得重要突破

南京大學(xué)團(tuán)隊(duì)在國(guó)際功率半導(dǎo)體會(huì)議ISPSD上發(fā)布兩項(xiàng)宇航用氮化鎵功率器件輻照效應(yīng)研究成果

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室GaN課題組劉軒博士研究成果亮相國(guó)際頂級(jí)學(xué)術(shù)會(huì)議ISPSD2025

復(fù)旦大學(xué)研究人員等在新型半導(dǎo)體表界面結(jié)構(gòu)與缺陷研究方面取得系列進(jìn)展

半導(dǎo)體所在植入式腦機(jī)接口器件研究方面取得新進(jìn)展

科研成果| p-GaN柵HEMT器件在負(fù)柵壓阻斷態(tài)下的重離子輻照可靠性實(shí)驗(yàn)研究

中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所郭煒研究員在GaN HEMT器件研究中取得新進(jìn)展

國(guó)家工程研究中心最新突破：磁控濺射AlN覆蓋層提升p-GaN HEMT器件性能

廈門大學(xué)-廈門市未來(lái)顯示技術(shù)研究院團(tuán)隊(duì)在鈣鈦礦窄帶光電探測(cè)器研究中取得重要突破

中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)在日盲紫外光電探測(cè)器研究中取得新進(jìn)展

中科大微電子學(xué)院在GaN器件輻照效應(yīng)研究方向取得重要進(jìn)展

西安電子科技大學(xué)郝躍院士團(tuán)隊(duì)常晶晶教授等人在Nano-Micro Lett.發(fā)表最新研究成果

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